Продукція > RE1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RE18HellermannTytonDescription: BOX STEEL WHITE 4"L X 14.1"W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE183-L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE184-L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE185-L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1903U-NML-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, WLAN
Mounting Type: Magnetic
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
Frequency Group: Wide Band
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Antenna Type: Whip, Straight
Number of Bands: 4
Termination: N Type Male
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1903U-SML-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
Frequency Group: Wide Band
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Antenna Type: Whip, Straight
Number of Bands: 4
Termination: SMA Male
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, PCS, WLAN
Mounting Type: Magnetic
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1903U-TML-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
Mounting Type: Magnetic
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, PCS, WLAN
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
Termination: TNC Male
Number of Bands: 4
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Frequency Group: Wide Band
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1903U-TS9L-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
Frequency Group: Wide Band
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Antenna Type: Whip, Straight
Number of Bands: 4
Termination: TS9
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, PCS, WLAN
Mounting Type: Magnetic
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE192RESOP-8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE192FPMI92 SMD
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE192G
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE193G00+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE194G00+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE195REF
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE195F00+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE195GSOP
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE195GS
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE196G00+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE198G00+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1774+7.98 грн
1834+7.71 грн
2500+7.49 грн
5000+7.03 грн
10000+6.35 грн
25000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 228635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.47 грн
4088+3.46 грн
4778+2.96 грн
5051+2.70 грн
6000+2.35 грн
12000+2.25 грн
24000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 40800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
25+12.31 грн
100+7.72 грн
500+5.34 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 30341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1774+7.98 грн
1834+7.71 грн
2500+7.49 грн
5000+7.03 грн
10000+6.35 грн
25000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
6000+3.78 грн
9000+3.56 грн
15000+3.11 грн
21000+2.98 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
31+9.85 грн
100+6.12 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.68 грн
73+11.01 грн
135+5.99 грн
500+4.71 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+2.93 грн
9000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.71 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLROHMDescription: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.15 грн
1500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 817558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
36+8.43 грн
100+5.22 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLROHMDescription: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.99 грн
82+9.80 грн
131+6.14 грн
500+4.15 грн
1500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 242862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2165+6.53 грн
2891+4.89 грн
3000+4.73 грн
6000+3.44 грн
12000+2.67 грн
24000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 2165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 26261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+4.27 грн
3410+4.15 грн
5000+4.04 грн
10000+3.79 грн
25000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 816000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
6000+2.47 грн
9000+2.32 грн
15000+2.02 грн
21000+1.92 грн
30000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.95 грн
42000+3.61 грн
63000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL QR.ROHM - JapanMOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 SC-89, SOT-490 RE1C002UNTCL TRE1c002untcl
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RZM002P02T2L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C002ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.00 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
21+14.63 грн
100+9.18 грн
500+6.38 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C002ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.00 грн
66+12.30 грн
125+6.43 грн
500+5.00 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+3.48 грн
9000+3.27 грн
15000+2.86 грн
21000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.88 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
26+11.49 грн
100+7.16 грн
500+4.94 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.55 грн
73+11.01 грн
162+4.98 грн
500+3.88 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFET Small Signal MOSFET N-CH .9V Drive .2A
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.46 грн
100+7.79 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.89 грн
500+7.09 грн
1000+5.03 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT416F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.54 грн
34+12.44 грн
100+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.53 грн
63+12.78 грн
137+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.14 грн
58+13.90 грн
100+8.68 грн
500+6.01 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1L002SNTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 23120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.86 грн
100+7.40 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.88 грн
1000+4.27 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RSM002N06T2L
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+3.15 грн
9000+2.91 грн
15000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19