Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTP4003GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP LED Driver HFE 100 -1A IC | на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP4003ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP4003ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP4003ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP4003ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP4003ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP4003ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Transistor LED Driver SOT89 T&R 1K | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP4003ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP4003ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 60...133 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 1000pcs. | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5240F-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SS Mid-Perf Transistor | на замовлення 47246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5240F-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5240F-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 730 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 730mW euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5240F-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 730 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5240F-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5240F-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 730 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5240F-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 730 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLQTA | Diodes Zetex | ZXTP5401FLQTA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLQTA | Diodes Zetex | ZXTP5401FLQTA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLQTA | Diodes Zetex | SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 600mA; 330mW; SOT23-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23-3 Mounting: SMD Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401FLTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5401FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 600mA | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401GTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A | на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Pulsed collector current: 2A Current gain: 50...240 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP56020FDBQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP56020FDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 405mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP56020FDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 405mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 170441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP56060FDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 60V 2A U-DFN2020-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP56060FDBQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V Dual PNP Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP56060FDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 60V 2A U-DFN2020-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP717MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP717MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W | на замовлення 3407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP717MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | на замовлення 7753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP717MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP717MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 4A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP718MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 4A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W | на замовлення 29638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 4A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP718MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 4A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A DFN2020B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 4A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP718MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | на замовлення 5743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | на замовлення 9401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V, 1.5 PNP Low Saturation Switching Transistor | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP720MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA Код товару: 220207
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A DFN2020B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP720MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 798000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP722MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 70V 2.5A DFN2020B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 3 W | на замовлення 888000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP722MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 70V PNP Low Sat 117 mOhm -2.5A | на замовлення 35361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP722MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 70V 2.7A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP722MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP722MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 70V 2.5A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 3 W | на замовлення 890022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP722MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP722MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 2.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 25V 3A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP749FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 725 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 725mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 725 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Zetex PNP Med. Power Transistor | на замовлення 17888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP749FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 725 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 725mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 725 mW | на замовлення 5744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTPS717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4.4A DFN3020B-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Current - Collector (Ic) (Max): 4.4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTPS717MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW SAT TRAN 40V 1A SCHOTTKY CMB | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTPS717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4.4A DFN3020B-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Current - Collector (Ic) (Max): 4.4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTPS717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4.4A DFN3020B-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Current - Collector (Ic) (Max): 4.4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTPS718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTPS718MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW SAT TRAN 40V 1A SCHOTTKY CMBO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTPS720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A DFN3020B-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTPS720MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP 1A Schottky Vceo -40V 104mOhm | на замовлення 4401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTPS720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A DFN3020B-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP + Diode (Isolated) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTR1005K4-13 | Diodes Incorporated | Description: IC REG LINEAR 5V 50MA TO252-4L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab) Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 500 µA Voltage - Input (Max): 100V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: TO-252-4L Voltage - Output (Min/Fixed): 5V Control Features: Enable Part Status: Active PSRR: 57dB (100Hz) Current - Supply (Max): 900 µA | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZXTR1005K4-13 | Diodes Incorporated | Linear Voltage Regulators 100V Input 5V 50mA 0.05A 5V 57dB 0.3mA | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTR1005K4-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.05A; TO252-4; SMD; ±4% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: 5V Output current: 50mA Case: TO252-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -55...125°C Tolerance: ±4% Number of channels: 1 Input voltage: 10...100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

