Продукція > stb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB5100ZUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5105-MB/NSST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5518FQCL
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55N03LT
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55N03LT4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NE06STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NE06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NE06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NE06LSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NE06LT4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NE06T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF-03LT4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03L-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 55A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 55 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 55A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06L-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.21 грн
2000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Substitute: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB; STB55NF06L TSTB55NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.82 грн
10+105.67 грн
50+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.18 грн
5+101.48 грн
10+89.74 грн
50+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.10 грн
100+64.49 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.41 грн
2000+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4
Код товару: 28024
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 55 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1700/27
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 55 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 4,5 B, Rds = 18 мОм @ 27,5 A, 10 B, Ugs(th) = 4,7 B @ 250 мкА, Р, Вт = 95, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.71 грн
2000+55.16 грн
3000+55.08 грн
5000+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+140.77 грн
100+97.55 грн
500+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.83 грн
25+49.48 грн
100+47.38 грн
250+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.02 грн
5+119.09 грн
10+93.93 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.42 грн
500+80.76 грн
1000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.03 грн
2000+55.47 грн
3000+55.40 грн
5000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.48 грн
288+49.13 грн
290+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.28 грн
10+137.37 грн
100+102.42 грн
500+80.76 грн
1000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06STMMOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF3LL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NFO6L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5600ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5600TRST
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5600TRSTMicroelectronicsDescription: IC GPS RF FRONT-END 32-TQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Load current: 5A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5610ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+816.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+349.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+816.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMMOSFET N-CH 650V 42A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+979.32 грн
19+750.80 грн
100+589.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.30 грн
10+525.48 грн
100+411.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB5BK50Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N52K3STMMOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+119.78 грн
100+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NA50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NA80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB40T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB60T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB80FP
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB80T4
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NB80T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NC50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NC50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NC70ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NC70Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NC90ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NC90Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK40ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 520V 1.22 Ohm 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK50Z-1
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK50Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]