Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS-0501-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Cable Leads
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2317.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS11N50APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50A(94-2401)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.16 грн
5+138.69 грн
10+131.12 грн
50+114.31 грн
100+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.79 грн
68+209.03 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+124.27 грн
150+123.98 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.14 грн
75+124.27 грн
150+123.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.48 грн
49+293.02 грн
83+171.67 грн
100+152.20 грн
500+125.96 грн
1000+106.25 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.30 грн
75+123.04 грн
150+112.00 грн
525+90.36 грн
1050+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.76 грн
91+157.32 грн
150+133.93 грн
525+123.30 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.98 грн
75+157.53 грн
150+134.11 грн
525+123.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.84 грн
19+40.29 грн
75+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.80 грн
10+130.89 грн
100+103.34 грн
500+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.97 грн
60+237.27 грн
91+156.03 грн
100+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.79 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.71 грн
10+122.20 грн
100+114.87 грн
500+83.21 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.36 грн
91+156.68 грн
100+142.84 грн
500+124.60 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.59 грн
88+161.20 грн
89+159.58 грн
90+152.35 грн
101+125.96 грн
500+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLIR01+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.59 грн
10+165.36 грн
100+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS140AON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS150AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRR
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z0IRSOT-89
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z0 TRRROHMSOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z0TRL
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z3TR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS21368DS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DInternational Rectifier/InfineonMOSFET N-CH 150V 23A D2PAK, Vdss В 150V, Id x, Ptot, Вт 3.8W,... Транзистори Корпус: TO-263 (D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DPBFInternational RectifierSMPS MOSFET, 150V, 23A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 0,09 Ом @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.68 грн
10+158.45 грн
25+151.42 грн
100+117.61 грн
250+107.87 грн
500+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DInternational Rectifier/InfineonMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK... Транзистори Корпус: TO-263 (D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFInfineonSingle N-Channel 200 V 3.8 W 57 nC, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.8
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V Single NChannel HEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS240BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS240B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS240BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS250
на замовлення 30951 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS250B
Код товару: 77929
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PF
Uds,V: 200 V
Idd,A: 21,3 A
Rds(on), Ohm: 0,071 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS250BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254B
Код товару: 77968
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PF
Uds,V: 250 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254BFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254BFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS254BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254BFP001ON SemiconductorIRFS254BFP001
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.26 грн
10+361.54 грн
50+337.42 грн
100+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBF
Код товару: 60555
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 240
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9130/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+165.00 грн
10+149.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 400, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9130 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В , Rds = 1.25 мОм @ 195 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]