Продукція > ncp
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP5109ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109ADR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109ADR2G | onsemi | Gate Drivers MOSFET / IGBT Drivers, Dual Input, High Voltage, High and Low Side, 200 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V Quellstrom: 250mA euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | onsemi | Description: IC DRIVER HI/LO 600V 10DFN | на замовлення 2751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | onsemi | Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DRIVER O | на замовлення 2072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5109AMNTWG - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, DFN-10 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: DFN Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | ON Semiconductor | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109AMNTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5109AMNTWG - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, DFN-10 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BDR2G | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109BDR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 250 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109BDR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109BDR2G | ONSEMI | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA Case: SO8 Mounting: SMD Impulse rise time: 160ns Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 200V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Output current: -500...250mA Pulse fall time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109BDR2G | onsemi | Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DRIVER | на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5109BMNTWG - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 250mAout, 100ns Verzögerung, DFN-10 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | ON Semiconductor | на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | ON Semiconductor | Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DRIVER O | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP511 | onsemi | 1.5V 150MA LDO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | ON Semiconductor | Driver 3A 1-OUT Low Side Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23 tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.8A Versorgungsspannung, min.: 11V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 14ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | ON Semiconductor | Driver 3A 1-OUT Low Side Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | onsemi | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 11V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: SOT-23-5 Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 7ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 0.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 12720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23 tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.8A Versorgungsspannung, min.: 11V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOT-23 Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 14ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | onsemi | Gate Drivers ORDERABLE PART FOR NCP51100 | на замовлення 4513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | ON Semiconductor | Driver 3A 1-OUT Low Side Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | onsemi | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 11V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: SOT-23-5 Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 7ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 0.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51100ASNT1G | ON Semiconductor | Driver 3A 1-OUT Low Side Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51105ASNT1G | onsemi | Gate Drivers ORDERABLE PART FOR NCP51105A | на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51105ASNT1G | onsemi | Description: SINGLE 2.6 A, LOW-SIDE GATE DRIV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 12.7V ~ 25V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 6-TSOP Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.6A, 2.6A | на замовлення 38963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51105ASNT1G | onsemi | Description: SINGLE 2.6 A, LOW-SIDE GATE DRIV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 12.7V ~ 25V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 6-TSOP Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.6A, 2.6A | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | onsemi | Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER | на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111DR2G | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NCP5111PG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Rail | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111PG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5111PG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Rail | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111PG | ON Semiconductor | Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP5111PG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Rail | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111PG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Rail | на замовлення 4636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP5111PG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-PDIP High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube | на замовлення 10316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51145MNTAG | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145MNTAG | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 1.8 AMP SOURCE SINK VTT TERMINATION REGULATOR | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51145MNTAG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-DFN (2x2) Applications: LDO (Linear), DDR Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Input: 1V ~ 5.5V Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145MNTAG | On Semiconductor | IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN Мікросхеми електроживлення | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145MNTAG | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.6÷2.5VDC Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: max. 150°C Output voltage: 0.6...2.5V DC Output current: 1.8A Operating voltage: 1...5.5/4.75...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: DFN8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145MNTAG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-DFN (2x2) Applications: LDO (Linear), DDR Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Input: 1V ~ 5.5V Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 8 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Versorgungsspannung, max.: 5.25 Source- / Sink-Strom: 1.8 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 7445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.6÷2.5VDC Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: max. 150°C Output voltage: 0.6...2.5V DC Output current: 1.8A Operating voltage: 1...5.5/4.75...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: SO8-EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ON Semiconductor | Source and Sink Bus Termination Regulator 1V to 5.5V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 1V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ON Semiconductor | Source and Sink Bus Termination Regulator 1V to 5.5V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 8 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Versorgungsspannung, max.: 5.25 Source- / Sink-Strom: 1.8 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ON Semiconductor | Power Management Specialized - PMIC 1.8 AMP SOURCE SINK | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 1V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51145PDR2G | ON Semiconductor | Source and Sink Bus Termination Regulator 1V to 5.5V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51152BADR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRIVER IN SOIC8-NB | на замовлення 2500 шт: термін постачання 210-219 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51152BADR2G | ON Semiconductor | Isolated Single Channel Gate Driver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51152BADR2G | onsemi | Description: ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Number of Channels: 1 Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 8.3ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 3750Vrms Current - Output High, Low: 4.5A, 9A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51152BADR2G | onsemi | Description: ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Number of Channels: 1 Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 8.3ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 3750Vrms Current - Output High, Low: 4.5A, 9A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51152CADR2G | onsemi | Description: 3.75 KVRMS, 4.5-A/9-A ISOLATED S Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Number of Channels: 1 Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 8.3ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 3750Vrms Current - Output High, Low: 4.5A, 9A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51152CADR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRIVER IN SOIC8-NB | на замовлення 2500 шт: термін постачання 181-190 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | ON Semiconductor | Termination Regulator 1.5V to 2.5V 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | ON Semiconductor | Termination Regulator 1.5V to 2.5V 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 10465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51190MNTAG - DDR-Abschlussregler, DDR1, DDR2, DDR3, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5A, DFN-EP-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Source- / Sink-Strom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Unterstützter Speicher: DDR1, DDR2, DDR3 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 108333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad Voltage - Output: 0.675V ~ 1.35V Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 2.2V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 8-DFN (2x2) Part Status: Obsolete | на замовлення 108333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 1.5A, DDR MEMORY TERML RE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | ON Semiconductor | Termination Regulator 1.5V to 2.5V 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 97868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | ON Semiconductor | на замовлення 903 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.675÷1.35V Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output voltage: 0.675...1.35V Output current: 1.5A Operating voltage: 1.35...2.5/2.2...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: DFN8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51190MNTAG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad Voltage - Output: 0.675V ~ 1.35V Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 2.2V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 8-DFN (2x2) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 1.5A DDR Memory Termination Reg | на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 4555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.675÷1.35V Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output voltage: 0.675...1.35V Output current: 1.5A Operating voltage: 1.35...2.5/2.2...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: SO8-EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 2.2V to 5.5V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 1.5 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Linearregler: SOIC Eingangsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Applications: LDO (Linear), DDR Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Input: 2.2V ~ 5.5V Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 2.2V to 5.5V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51198PDR2G - Linearer Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 1.5Aout, SOIC-8 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 1.5 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Linearregler: SOIC Eingangsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Applications: LDO (Linear), DDR Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Input: 2.2V ~ 5.5V Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51198PDR2G | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 2.2V to 5.5V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 97633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51199PDR2G | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Applications: LDO (Linear), DDR Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Input: 1.5V ~ 5.5V Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NCP51199PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G - DDR-Abschlussregler, DDR2, DDR3, 4.75V bis 5.25Vin, 2A, NSOIC-EP-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V Source- / Sink-Strom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3 Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3905368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51199PDR2G | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 4.75V to 5.25V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 13367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51199PDR2G | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 1.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Part Status: Obsolete | на замовлення 3905368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NCP51199PDR2G | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 4.75V to 5.25V 8-Pin SOIC N EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

