Продукція > BC5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC517 | LGE | darl.NPN 30V 1.2A 625mW TBC517-BK ; SIEMENS variant (output like BC517 Siemens); BC517 LGE TBC517 c кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 620 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517 (LEGACY FAIRCHILD) | onsemi | TO-92 REVERSE MOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 19218
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 220 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 30 V Ic,A: 0,5 A h21: 30000 Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT | у наявності: 16 шт
|
| ||||||||||||||
| BC517,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517,112 | NXP | NPN Darlington TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 3784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC517-D74Z - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, TO-92, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 1.2A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON-Semiconductor | NPN 400mA 30V 625mW 220MHz BC517RL1G, BC517D74Z BC517 TBC517 кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 1003 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 5011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | onsemi | Darlington Transistors NPN DAR 30V 1.2A | на замовлення 12258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1.2A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 1909 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC517/D74Z | на замовлення 8367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC517D74Z | On Semiconductor | TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517G | onsemi | Darlington Transistors 1A 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517RL1 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517RL1G | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC517RL1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517ZL1 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517ZL1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517ZL1G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_L34Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_L34Z | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC517_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN DAR 30V 1.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51E129B14-IYH-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 67WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 67-WFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 48kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 6dBm Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Data Rate (Max): 3Mbps Supplier Device Package: 67-WLCSP (4.12x4.04) RF Family/Standard: Bluetooth DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51E129B14-IYH-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 67WLCSP Power - Output: 6dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 67-WFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 67-WLCSP (4.12x4.04) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51E130A14-IRK-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUECORE5-HCI 84-VFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51E130A14-IRK-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUECORE5-HCI 84-VFBGA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51E130A14-IRK-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUECORE5-HCI 84-VFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PA | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 1 A PNP medium power transistors | на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PA-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC51PA-Q/SOT1061/HUSON3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC51PA-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC51PAS-Q/SOT1061/HU SON3 | на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC51PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC51PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC51XPAS-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC51PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PASX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A DFN2020D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A DFN2020D-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A DFN2020D-3 | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 45V 1A PNP MEDPWR BJT | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PA,115 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Frequency - Transition: 145MHz Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-10PA-Q/SOT1061/HUSON3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52PA-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52xPAS-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PAS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Mounting Type: Surface Mount Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 17148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN2020D-3 Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Bulk Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PASX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN2020D-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PA,115 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-16PA-Q/SOT1061/HUSON3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52PA-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PAS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC52-16PA - SMALL S Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52xPAS-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-16PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-16PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-16PAS-Q/SOT1061 /HUSON3 | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC52-16PAS115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC52-16PAS - SMALL Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC52-16PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

