Продукція > BUZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUZ17
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ171INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ171CHP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ172
Код товару: 89248
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 5,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 800/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ173
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ173
Код товару: 77766
Додати до обраних Обраний товар
SiemensТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Id, A: 3,6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 750/
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
  • 6 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+40.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ18
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ20
Код товару: 107990
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ201PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ202PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ205
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ206
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21HARRISBUZ21
на замовлення 42976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
10000+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 42976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21
Код товару: 165241
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ210PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ211PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ213
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ215Rochester Electronics, LLCDescription: SIEMENS BI-DIR FIFO 512X36 20NS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ215
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ216
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21CHIP
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21LINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ21P2Harris CorporationDescription: 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ22INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ22
Код товару: 178108
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ220PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ221PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ22E3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 53682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ22E3045AROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ22E3045A - BUZ22 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 34
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ22E3045AInfineon TechnologiesBUZ22E3045A
на замовлення 53682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+88.03 грн
500+79.23 грн
1000+73.06 грн
10000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ23PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ230PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ231PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ24PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ25PHIL\MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ27INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ272INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ28
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ282N/A09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ305
Код товару: 40095
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ305
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ307SIEMENS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ308INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ309
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A
Код товару: 42596
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AInfineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 21A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A E3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A E3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A HInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A H3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.27 грн
10+168.31 грн
100+117.36 грн
250+100.10 грн
500+83.53 грн
1000+71.11 грн
2000+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A H3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A L3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30A SMDInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH
Код товару: 140368
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHInfineon technologies
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045A
Код товару: 56077
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263-3
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AInfineon TechnologiesDescription: BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.11 грн
500+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.11 грн
500+92.80 грн
1000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.11 грн
500+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.27 грн
10+168.31 грн
100+117.36 грн
500+95.96 грн
1000+80.08 грн
2000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.11 грн
500+92.80 грн
1000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ30AH3045AATMA1 - BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.53 грн
10+154.12 грн
100+123.88 грн
500+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30ASMD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31INFTO-220
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31Infineon(MFET,N-CH,200V,13.5A,75W,TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 14.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 E3045AINFTO-263
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 E3045AInfineon TechnologiesMOSFETs N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 E3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 E3046Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 E3046Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 HInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A TO220FP-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+62.30 грн
100+55.45 грн
500+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 H3046Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 L3045AInfineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS PWR Transistr N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31 L3045AINFTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ311Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ311 (транзистор)
Код товару: 79399
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ312
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31H3046XKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]