Продукція > FS2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FS200R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 200A 600W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R06KF4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R06KL4 | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| fs200r06kl4c | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A02E3S6BKSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE HYBRID 28MDIP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 694 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-MDIP-28 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A02E3S6BKSA3 | Infineon Technologies | IGBT Modules HYBRID PACK DSC SI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A02E3S6BKSA3 | Infineon Technologies | Description: HYBRID PACK DSC SI Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: PG-MDIP-28 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Power - Max: 694 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A1E3 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT HYBRID PK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 790 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 250 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-HYBRID1-1 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Module with trench/Field stop IGBT3 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07A1E3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 250A 790W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 790 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 250 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A5E3S6BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules HYBRID PACK 1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07A5E3S6BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE HYBRID PACK LIGHT Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 630 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 705 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Last Time Buy IGBT Type: Trench NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Full Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07N3E4R | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 200 A sixpack IGBT module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 600W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07N3E4RBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS200R07N3E4RBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07N3E4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07N3E4RBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 600W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4RPBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 200 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07N3E4R_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 650V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07N3E4R_B11 | Infineon Technologies | Description: FS200R07 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 650V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R07PE4BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS200R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 600W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 950 V, 200 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY3B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 53 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Easy PACK Module With TRENCHSTOP IGBT7 And Emitter Controlled 7 Diode And PressFIT / NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KF4 | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4R | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 200A | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 280 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS200R12KT4RBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 280 A, 1.75 V, 1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 280A Produktpalette: Econo 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 280A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 280 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RPB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW PWR ECONO3-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RPB11BPSA1 | Infineon Technologies | EconoPACK 3 Module IGBT4 | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RPB11BPSA1 | Infineon Technologies | EconoPACK 3 Module IGBT4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4RPB51BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FS200R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RPB51BPSA1 | Infineon Technologies | FS200R12KT4RPB51BPSA1 | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12KT4RPBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12KT4R_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 1200V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12N3T4RB81BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4 Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12N3T4RB81BPSA1 | Infineon Technologies | FS200R12N3T4RB81BPSA1 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12N3T4RB81BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12N3T4RB81BPSA1 | Infineon Technologies | FS200R12N3T4RB81BPSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO3B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 16 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules EconoPACK4 200A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12PT4 | Infineon | IGBT Modules EconoPACK4 200A 1200V Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS200R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 280 A, 1.75 V, 1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 280A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 280A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 280 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 силовий модуль Код товару: 213556
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 20-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-1 Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40300 pF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: Trench Field Stop NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS200R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Schraub euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 21-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A sixpack IGBT module | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 21-Pin Tray | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 21-Pin Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 21-Pin Tray | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200R12W3T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 21-Pin Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS200T12A1T4 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200T12A1T4BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS200T12A1T4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT HYBRID PK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS2012-1001-LQ | Renesas / IDT | Flow Sensors FS2012 TMFS CALIBRATED LIQUID 0 TO 0.5 SLPM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS2012-1001-LQ | Renesas Electronics Corporation | Description: THERMAL MASS FLOW SENSOR Flow Sensor Type: Liquid Sensing Range: 0 ~ 0.5 SLPM Port Size: Male, 0.232" (5.90mm) Material - Body: Plastic Operating Temperature: 0°C ~ 85°C Voltage - Input: 5V Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS2012-1002-LQ | Renesas / IDT | Flow Sensors FS2012 TMFS CALIBRATED LIQUID 0 TO 1.0 SLPM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS2012-1002-LQ | Renesas Electronics Corporation | Description: CALLIBRATED MASS FLOW SENSOR Packaging: Tray Voltage - Input: 5V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C Material - Body: Plastic Port Size: Male, 0.232" (5.90mm) Sensing Range: 0 ~ 1 SLPM Flow Sensor Type: Liquid | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

