Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT0010G33RHoneywell AerospaceDescription: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0020A33RHoneywell AerospaceDescription: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0020D33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0020G33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.61 грн
10+293.61 грн
50+231.88 грн
100+198.96 грн
500+185.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+486.56 грн
42+339.43 грн
100+246.20 грн
500+204.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.23 грн
10+351.05 грн
100+254.62 грн
500+211.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+167.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+222.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0050A33RHoneywell AerospaceDescription: SENSOR 50PSIA 0.26" 24BIT
Maximum Pressure: 150PSI (1034.21kPa)
Port Style: Barbless
Applications: Board Mount
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube
Voltage - Supply: 4V ~ 12V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Accuracy: ±0.04%
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 50PSI (344.74kPa)
Output: 24 b
Output Type: SPI
Package / Case: Module
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0050D33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0050G33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06N
Код товару: 193411
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+497.17 грн
45+319.74 грн
100+298.58 грн
500+274.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+478.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.51 грн
40+361.13 грн
50+342.27 грн
100+312.77 грн
500+287.92 грн
1000+251.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 90745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+308.86 грн
50+244.41 грн
100+209.92 грн
500+197.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+318.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+319.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+273.72 грн
4000+273.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+243.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+178.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+243.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+440.77 грн
100+342.87 грн
500+328.07 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.34 грн
39+365.09 грн
48+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.41 грн
10+324.40 грн
100+302.93 грн
500+278.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 25490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+595.43 грн
34+419.35 грн
50+338.65 грн
100+292.47 грн
500+251.90 грн
2000+211.11 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615.82 грн
10+433.72 грн
50+350.25 грн
100+302.48 грн
500+260.53 грн
2000+218.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.59 грн
10+300.86 грн
50+237.88 грн
100+204.20 грн
500+190.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+293.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.67 грн
10+288.71 грн
100+214.98 грн
500+187.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.60 грн
10+460.87 грн
50+370.80 грн
100+326.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id, A = 43 (Ta), 425 (Tc), Udss, В = 80, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 40, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 150 А, 10 В, Ugs(th) = 3,5 @ 278 мкА, Р, Вт = 3,8 (Ta), 375 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпу
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesPower -Transistor, 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesPower -Transistor, 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT009N10NM8ATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesPower -Transistor, 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT009N10NM8ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PCPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PCPHM11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0F11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-5PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A16-26SCPG16B0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00E22-55PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00M12-8PCB0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00M22-41PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00SE20-39PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+706.25 грн
29+500.84 грн
100+398.67 грн
500+377.22 грн
1000+347.29 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 425A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 425A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+341.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.62 грн
10+371.73 грн
50+295.75 грн
100+254.60 грн
500+231.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]