Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+184.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0050A33RHoneywell AerospaceDescription: SENSOR 50PSIA 0.26" 24BIT
Maximum Pressure: 150PSI (1034.21kPa)
Port Style: Barbless
Applications: Board Mount
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube
Voltage - Supply: 4V ~ 12V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Accuracy: ±0.04%
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 50PSI (344.74kPa)
Output: 24 b
Output Type: SPI
Package / Case: Module
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0050D33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0050G33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06N
Код товару: 193411
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.64 грн
10+358.84 грн
100+250.59 грн
500+222.98 грн
1000+210.55 грн
2000+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+441.75 грн
100+343.63 грн
500+328.80 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.36 грн
39+365.90 грн
48+299.19 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 41560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.97 грн
10+307.75 грн
100+229.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.94 грн
10+543.09 грн
100+424.67 грн
500+390.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.36 грн
10+365.90 грн
25+299.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 20823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.62 грн
10+324.70 грн
100+220.91 грн
500+211.24 грн
1000+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+542.84 грн
50+367.26 грн
100+286.72 грн
500+254.28 грн
1000+228.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+479.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+504.63 грн
40+361.94 грн
50+343.04 грн
100+313.47 грн
500+288.56 грн
1000+251.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+194.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+378.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+274.33 грн
4000+273.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+542.84 грн
50+367.26 грн
100+286.72 грн
500+254.28 грн
1000+228.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+479.33 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.32 грн
10+427.11 грн
100+300.30 грн
500+266.47 грн
1000+236.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.85 грн
10+412.36 грн
100+310.88 грн
500+281.95 грн
1000+255.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.97 грн
10+408.79 грн
100+298.75 грн
500+236.40 грн
1000+234.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+412.36 грн
100+310.88 грн
500+281.95 грн
1000+255.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+232.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.80 грн
10+326.99 грн
100+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.70 грн
10+286.06 грн
100+213.01 грн
500+185.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.24 грн
10+300.89 грн
100+188.46 грн
500+185.01 грн
1000+178.80 грн
2000+163.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+284.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.79 грн
10+443.86 грн
100+335.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.72 грн
10+477.13 грн
100+313.41 грн
1000+294.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id, A = 43 (Ta), 425 (Tc), Udss, В = 80, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 40, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 150 А, 10 В, Ugs(th) = 3,5 @ 278 мкА, Р, Вт = 3,8 (Ta), 375 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпу
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.86 грн
10+294.53 грн
100+188.46 грн
500+167.75 грн
1000+147.73 грн
2000+140.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PCPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PCPHM11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0F11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PN0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A14-19PSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00A16-26SCPG16B0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00M12-8PCB0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00M22-41PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT00SE20-39PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+564.93 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+488.29 грн
16000+448.35 грн
24000+419.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 425A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 425A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+752.22 грн
50+525.42 грн
100+476.28 грн
200+366.32 грн
500+331.59 грн
1000+265.68 грн
2000+249.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.62 грн
10+451.83 грн
100+342.29 грн
500+311.86 грн
1000+278.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+235.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1InfineonN-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1
Код товару: 220375
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+342.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+343.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.04 грн
10+446.17 грн
100+319.63 грн
500+285.11 грн
1000+266.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.48 грн
10+381.71 грн
100+280.61 грн
500+260.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.83 грн
10+318.59 грн
100+231.38 грн
500+185.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.82 грн
10+236.58 грн
100+146.35 грн
500+129.09 грн
2000+120.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+423.64 грн
25+387.40 грн
100+326.07 грн
500+228.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N06NATMA1Infineon Technologies60V Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.26 грн
10+423.64 грн
25+387.40 грн
100+326.07 грн
500+228.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5Infineon
на замовлення 40050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5VBSEMIТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5TokmasТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+637.88 грн
50+425.25 грн
100+343.10 грн
500+284.19 грн
1000+251.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 17872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.95 грн
10+363.54 грн
100+263.86 грн
500+207.77 грн
1000+202.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.35 грн
10+329.47 грн
100+209.86 грн
500+198.13 грн
1000+191.91 грн
2000+185.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+442.07 грн
10+368.95 грн
100+341.53 грн
500+325.74 грн
1000+293.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+203.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+948.24 грн
21+691.60 грн
50+613.28 грн
100+555.36 грн
200+485.18 грн
500+433.76 грн
1000+406.90 грн
2000+405.87 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1InfineonТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.50 грн
10+265.95 грн
100+165.68 грн
500+149.80 грн
1000+139.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1InfineonMOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.79 грн
10+234.61 грн
100+168.02 грн
500+152.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+213.28 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFInfineon TechnologiesDescription: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFInfineon TechnologiesDescription: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]