Продукція > KSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSD1408OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 4A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1408YTU | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | на замовлення 6186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1408YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1408YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | на замовлення 12348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1408YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1408YTU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1412S | Littelfuse Inc. | Description: RELAY TIME DELAY 2 SEC CHAS MT Packaging: Bulk Delay Time: Fixed, 2 Sec Mounting Type: Chassis Mount Function: On-Delay Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Voltage - Supply: 120VAC Relay Type: Solid State Relay Timing Adjustment Method: Fixed Timing Initiate Method: Input Voltage | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1412S | Littelfuse | Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1412S | Littelfuse | Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1412S | Littelfuse | Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD14130S | Littelfuse | Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD14130S | Littelfuse Inc. | Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT Packaging: Bulk Delay Time: Fixed, 30 Sec Mounting Type: Chassis Mount Function: On-Delay Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Voltage - Supply: 120VAC Relay Type: Solid State Relay Timing Adjustment Method: Fixed Timing Initiate Method: Input Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1413TU | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 3A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1417 | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1417TU | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 7A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1420 | Littelfuse | Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1420 | Littelfuse | Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1420 | Littelfuse | Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1420 | Littelfuse Inc. | Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT Packaging: Bulk Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec Mounting Type: Chassis Mount Function: On-Delay Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Voltage - Supply: 120VAC Relay Type: Solid State Relay Timing Adjustment Method: External Resistor Timing Initiate Method: Input Voltage | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1420 | Littelfuse | Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1588OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1588RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 8151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1588YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 9651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 8104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1588YTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 7A; 30W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Current gain: 100...200 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1589OTU | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1589RTU | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1589YTU | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD16130S | Littelfuse | Time Delay Relay 230VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD16130S | Littelfuse | Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD16130S | Littelfuse Inc. | Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT Packaging: Bulk Delay Time: Fixed, 30 Sec Mounting Type: Chassis Mount Function: On-Delay Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Voltage - Supply: 230VAC Relay Type: Solid State Relay Timing Adjustment Method: Fixed Timing Initiate Method: Input Voltage | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD16130S | Littelfuse | Time Delay Relay 230VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616-G-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616-GTA | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| KSD1616-L-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 50V 1A TO92 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616-Y-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/120V/1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616A-G-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON PURPOSE TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616A-G-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 120V 1A TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616A-G-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 120V 1A TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616A-Y | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| KSD1616A-Y-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 37961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 2A Type of transistor: NPN Current gain: 200...400 Kind of package: bulk Case: TO92 Frequency: 160MHz | на замовлення 3379 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 20371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ONS/FAI | TO-92, NPN, Uce=60V, Ic=1.0A, hFE=135...600, -40...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 12964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 34195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Formed Current gain: 200...400 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 160MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | на замовлення 4077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616AGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: - Verlustleistung: 750 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AGTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616ALBU | ON Semiconductor | KSD1616ALBU | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616ALBU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616ALBU | ON Semiconductor | KSD1616ALBU | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616ALBU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616ALBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4579 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616ALTA | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616ALTA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616ALTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616ALTA - KSD1616ALTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616ALTA | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 10324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616ALTA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | на замовлення 6203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616ALTA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 52699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AYBU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616AYTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616GBU | FAIRCHILD | KSD1616GBU | на замовлення 9338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616GBU | FAIRCHILD | KSD1616GBU | на замовлення 9441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616GBU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616GBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 19321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8013 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616GBU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 28659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616GTA | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| KSD1616GTA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616LBU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| KSD1616LBU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSD1616LBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4579 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616LPWD | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616LPWD | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616YBU | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| KSD1616YTA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

