Продукція > KSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
KSD1408YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.04 грн
500+71.13 грн
1000+65.61 грн
10000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1412SLittelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 2 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 2 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1412SLittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1412SLittelfuseTime Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD14130SLittelfuseTime Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD14130SLittelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 30 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD14130SLittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1413TUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1417onsemi / FairchildDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1417TUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1420LittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1420Littelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1420LittelfuseTime Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588OTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588RTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
50+65.41 грн
100+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+83.93 грн
500+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1588YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 7A; 30W; TO220FP
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Power dissipation: 30W
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...200
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+83.93 грн
500+75.54 грн
1000+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1588YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 7A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1589OTUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1589RTUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1589YTUonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD16130SLittelfuseTime Delay Relay 230VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD16130SLittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD16130SLittelfuse Inc.Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 30 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 230VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616-G-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616-GTA
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616-L-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 1A TO-92
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/120V/1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-G-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON PURPOSE TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-G-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 120V 1A TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-G-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 120V 1A TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-Y
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+17.96 грн
2500+8.49 грн
5000+8.41 грн
7500+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.74 грн
35+23.25 грн
100+14.71 грн
500+10.34 грн
1000+7.66 грн
5000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 34195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+11.27 грн
10000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.32 грн
27+28.19 грн
100+16.60 грн
500+12.10 грн
1000+9.77 грн
2000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUONS/FAITO-92, NPN, Uce=60V, Ic=1.0A, hFE=135...600, -40...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Power dissipation: 0.75W
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Frequency: 160MHz
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
на замовлення 6509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
18+24.32 грн
21+20.80 грн
100+11.99 грн
500+8.81 грн
1000+7.88 грн
2000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 20518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.51 грн
100+13.70 грн
500+9.67 грн
1000+8.65 грн
2000+7.78 грн
5000+6.73 грн
10000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 37961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+11.27 грн
10000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 13907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
853+16.60 грн
1127+12.55 грн
1294+10.94 грн
2000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 853 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Power dissipation: 0.75W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Frequency: 160MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.47 грн
100+14.94 грн
500+10.56 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.08 грн
42+18.12 грн
100+13.05 грн
500+10.31 грн
668+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.01 грн
4000+13.62 грн
6000+13.49 грн
8000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.87 грн
4000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616AGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: -
Verlustleistung: 750
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALBU
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALBUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616ALBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4579+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALBUON SemiconductorKSD1616ALBU
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.04 грн
10000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALBUON SemiconductorKSD1616ALBU
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.04 грн
10000+8.06 грн
100000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5848+6.04 грн
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 5848 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3883+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5848+6.04 грн
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 5848 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTA
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 52699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3883+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616ALTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616ALTA - KSD1616ALTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYBUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.00 грн
4000+11.63 грн
6000+11.25 грн
8000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.35 грн
4000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.39 грн
35+23.74 грн
100+15.28 грн
500+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTAonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.32 грн
100+14.85 грн
500+10.50 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GBUonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616GBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 8013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 9441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 28659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GBUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GTA
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616GTAonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616LBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616LBUON SemiconductorKSD1616LBU
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.04 грн
10000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616LBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1616LBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4579+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616LPWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616LPWDonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616YBUonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 750 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616YTAonsemiDescription: TRANS NPN 50V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1621(SYS)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]