Продукція > US6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| US6M11TR | ROHM | Description: ROHM - US6M11TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.26ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M11TR Код товару: 174450
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| US6M11TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6 Part Status: Active Supplier Device Package: TUMT6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6M11TR | ROHM | Description: ROHM - US6M11TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.26ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M11TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN | на замовлення 19533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M11TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active | на замовлення 10890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6M1TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active | на замовлення 11776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6M1TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs N+P 30 20V 1A | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M1TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6 Part Status: Active Supplier Device Package: TUMT6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6M2 | ROHM | SOT363 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M2/M02 | ROHM | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| US6M2GTR | Rohm Semiconductor | Description: 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M2GTR | Rohm Semiconductor | Description: 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M2GTR | ROHM Semiconductor | MOSFET 2.5v Nch+Pch 6pin TUMT6; w/G-S Diode | на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M2TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs N+P 20V 1.5A/1A | на замовлення 12520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M2TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active | на замовлення 29775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6M2TR | на замовлення 550000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US6M2TR | ROHM | Description: ROHM - US6M2TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.24 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.39ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6M2TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6MC-TR | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US6T4TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T4TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 12V 3A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T5TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T5TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T6TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR 30V 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T6TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T6TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T6TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T7TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T7TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T7TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T7TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR 30V 1.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T8 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US6T8TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP+PNP -12VCEO-1.5A SOT-363T | на замовлення 5772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T8TR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR | на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6T8TR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T9 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T9 | ROHM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| US6T9TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 400mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: UMT6 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6T9TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6U37TR | ROHM Semiconductor | MOSFET N Chan30V+/-1.5A 2.5V Drive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6U37TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6U37TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 | на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 3A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X4TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X4TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X5TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X5TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X5TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR 12V 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X5TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 12V 2A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X6TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X6TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X6TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X6TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR 30V 1.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X7 | ROHM | SOT-363 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X7 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X7TR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; complementary pair; 12V; 1.5A; 400mW Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363T Current gain: 270...680 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X7TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN 12VCEO 1.5A SOT-363T | на замовлення 5622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X7TR | Rohm Semiconductor | Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR Supplier Device Package: TUMT6 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Power - Max: 400mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6X7TR | Rohm Semiconductor | Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR Power - Max: 400mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Supplier Device Package: TUMT6 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US6X8 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X8TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 1000mW 6-Pin TUMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6X8TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN 30VCEO 1A SOT-363T | на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| US6X8TR | Rohm Semiconductor | Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| US6X8TR | Rohm Semiconductor | Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|