Продукція > XP4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-(TX)SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313-TX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4313/BZ
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314PANPSONIC09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314-CTX7
на замовлення 17754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314/CAPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4314\CAPanasonicSOT-363
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4315PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4315-TXPANPSONIC09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4316PAN
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4316(TX)PANASONIC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4316-TXPANASONIC09+
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401PANAS
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401
Код товару: 168734
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401(TX)Panasonic
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-(TX)(5K)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-(XT)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401-XT
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401/5KPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4401TX
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4402
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4402/0H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4410GMYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4414-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -11 .3A SO-8
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4459YTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501
Код товару: 168735
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501(TX)PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)(5H)
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-(TX)/XP0450
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-TXPANASONICSOT363-5H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501-WPANASONICSOT26/
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4501/5HPANASONIC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4506PANASONIC
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+108.31 грн
100+75.18 грн
500+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEHYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4525GEMYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601PAN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-(TX)(5C)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-(TX)/5CPANASONIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-TXPANASONIC
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-TX/5C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601-ЈЁTXЈ©.SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601/5CPANASONIC
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601CTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4601TRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4604IYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4608PYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4608SYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4654
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4654-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4800GEMYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4878/7Y
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4M32LPTRIDENTBGA
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1AMTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+206.96 грн
100+167.43 грн
500+139.67 грн
1000+119.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 2100 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 2100 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R1MTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+167.03 грн
100+132.96 грн
500+105.58 грн
1000+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 2550 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 2550 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N2R6SYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 40V 75A TO-252
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+104.61 грн
100+72.74 грн
500+56.85 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7136 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R6HCMTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA1R8MT-AYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.28mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]