Продукція > nP3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP3400BC2C
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3400PRCEAMCC07+Йў?
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3404-BB1CAMCCBGA
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3404-BB1C-I
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3404-BB2CAMCCBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3404-BB3CAMCCBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3404-BB3C-I
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3450-BA1CAMCCBGA
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3450-BA2C
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3454-BA1CAMCCBGA
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3454-BA2CAMCCBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
nP3454-BA2C-300
на замовлення 859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3454-BA2C-350AppliedMicro2 GE + 2 GE Integrated Network Processor (NPU, TM, Switching, MACs) (350 Mh NP3454
кількість в упаковці: 21 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N03ILD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055HHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055HLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055IHE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055SHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055SHE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055SLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055SLE-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 34A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP34N055SLE-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SAT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SAT3GonsemiDescription: THYRISTOR 320V 50A DO214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 320V
Voltage - Breakover: 400V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 28pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SAU
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SB1T3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 80A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SBMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 250A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SBT3GRochester Electronics, LLCDescription: SILICON SURGE PROTECTOR
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NP3500SBT3G - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SBT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 80A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SBT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SCGON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 100A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SCMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 400A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SCT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SCT3GRochester Electronics, LLCDescription: SILICON SURGE PROTECTOR
на замовлення 52240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP3500SCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 100A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP351-14422-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 144 PIN MBGA 0.80 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP351-17635-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 176 PIN MBGA 0.80 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP351-18464-1-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 184 PIN MGA 0.80 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP351-400-594-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 400 PIN BGA 0.80 MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP351-400-594-2Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 400 PIN BGA, 0.80 MM 2.2mm lead length
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-115523Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1155 PIN MBGA 1.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-115523-AC19415Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1156 PIN MBGA 1.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-1296-52Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1296 PIN MBGA 1.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-1521-53Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1521 PIN MBGA 1.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-165-109Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 165 PIN MBGA 1.00 MM PITCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-165-137Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 165 PIN BGA 1.00 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-1849-35Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1849 PIN MBGA 1.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-196-125Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 196 PIN MBGA 1.00 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-209-60-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 209 PIN MBGA 1.00 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-256-81-1Yamaichi ElectronicsDescription: 256 PIN BGA, 1.00MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-256-81-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 256 PIN MBGA 1.00 MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-324-116Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 324 PIN MBGA 1.00 MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-484-98Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 484 PIN MBGA 1.00 MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP352-676-103Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 676 PIN MBGA, 1.00MM PITCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35415
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.68 грн
10+97.75 грн
100+65.91 грн
250+65.28 грн
500+52.88 грн
1000+47.86 грн
2500+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+115.56 грн
100+79.02 грн
500+59.47 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YUG-E1-AYRenesasHSON 8/MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP35N04
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 10mohm SON-8 5x6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N04YUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.96 грн
5000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs POWER AUTO MOS 55V, 6.7mohm, HSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP364-01649Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 16 PI QFN 1.00 MM W/o Center Grnd Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055HHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055HLE-AYRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055HLE-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 36A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-251
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055ILE/JM-U
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055SHE
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055SHE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 36A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055SLE
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055SLE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 36A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N055SLE-E1-AYRenesasTO252/N-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36N10SDE
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AYRenesasTO263AB/36 A, 40 V, 0.0235 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET NP36P04
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.77 грн
10+137.81 грн
100+85.70 грн
800+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AYRenesasto-252/SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.36 грн
5000+48.13 грн
7500+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+107.37 грн
100+66.54 грн
500+53.30 грн
1000+51.63 грн
2500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+112.09 грн
100+76.67 грн
500+57.74 грн
1000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.53 грн
1600+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -36A 29.5mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.89 грн
10+133.00 грн
25+114.26 грн
100+80.12 грн
500+75.25 грн
800+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+125.37 грн
100+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP36P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0231 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0231ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.14 грн
10+136.56 грн
100+99.98 грн
500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLGRENESAS 12+ SOT-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.42 грн
100+75.49 грн
500+56.82 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP36P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+109.73 грн
100+85.35 грн
500+66.35 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AYRenesasTO252/SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY
Код товару: 211828
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -36A 30mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.14 грн
10+109.77 грн
100+65.91 грн
500+52.46 грн
1000+50.93 грн
2500+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]