Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon | Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2413 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 133085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 94928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS306NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PE | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PE | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PE H6327 | Infineon | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS308PE H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327 | Infineon | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 64531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 64531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2903 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | на замовлення 188894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS308PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS31 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS314PE H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS314PE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 16410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 56099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | NXP/Nexperia/We-En | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 294, Qg, нКл = 2,9, Rds = 140 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 211 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 59287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 28744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1278000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 28744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1278000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1625 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS314PEL6327 | Infineon | на замовлення 266880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS314PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Bss315 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315P H6327 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS315P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 12257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 Код товару: 118761
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 9495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 500мВт; PG-SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Technology: OptiMOS™ P2 Case: PG-SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 3379 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 75509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 33380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | на замовлення 23341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Bss316NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 7980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | на замовлення 16256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 319211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | на замовлення 8889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 485 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 Код товару: 210395
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 15, Qg, нКл = 0,6, Rds = 160 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 500 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS316NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS316NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS32 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS33 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS34 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

