Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.03 грн
6000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N-F073FAIRCHILD09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 2305364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1218+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 1218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 92994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
10000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 132149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
10000+17.20 грн
100000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2189+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 2189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
10000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
10000+17.20 грн
100000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC654P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PONS/FAISSOT-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 24095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.08 грн
50+26.45 грн
100+21.87 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 914474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
10000+17.20 грн
100000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 7068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.29 грн
6000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
661+21.40 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 900177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1834+19.28 грн
10000+17.20 грн
100000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654P SOT163-654 PB-FRFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654P-NLFAIRCHILDSOT163-654 PB-FR
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654P-NLSOT163-654PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC654P_NLFAIRCHIL
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANFAIRCHILDFDC655AN
на замовлення 25459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANFAIRCHILDFDC655AN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANFAIRCHILDFDC655AN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANFAIRCHILDFDC655AN
на замовлення 94582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
на замовлення 299231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655ANFAIRCHILDFDC655AN
на замовлення 140190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655AN_NLONS/FAIДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. FDC655BN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
13+32.62 грн
50+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNONS/FAIMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNonsemiMOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 15919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+29.36 грн
1000+19.74 грн
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
691+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 42039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 6,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN
Код товару: 169802
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.06 грн
35+21.70 грн
37+20.47 грн
100+17.78 грн
250+16.19 грн
500+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 49197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.44 грн
50+24.46 грн
100+20.21 грн
500+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 42039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-F40onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-F40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1849+19.13 грн
10000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN_GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23
на замовлення 19178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+23.11 грн
10000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN_NBNN007onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NON SemiconductorFDC655N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NON SemiconductorFDC655N
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
10000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NON SemiconductorFDC655N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561/5G1GFAI
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN
Код товару: 174745
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.97 грн
6000+19.89 грн
9000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 99808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.83 грн
50+30.07 грн
100+24.95 грн
500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+41.24 грн
1000+27.52 грн
3000+26.30 грн
6000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.00 грн
6000+19.90 грн
9000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 99808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
на замовлення 42226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.56 грн
6000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN-NB5S007AonsemiDescription: FET 30V 95.0 MOHM SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 22283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN/561FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN\651FAIRCHILSOT-163
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN_NLFAIRCHIL
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APonsemiMOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 15603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.04 грн
1000+25.37 грн
3000+24.63 грн
6000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 8862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.97 грн
50+27.93 грн
100+23.15 грн
500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.65 грн
6000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APFairchildP-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.1nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
10+42.77 грн
12+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.19 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.