Продукція > FDC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.6 Bauform - Transistor: SuperSOT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC855N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 3487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench | на замовлення 12776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | FAIRCHILD | на замовлення 2660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC855N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC855N-NL | Fairchild | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | на замовлення 6620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8601 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 12033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8602 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 690mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | на замовлення 7167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8602 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | onsemi / Fairchild | MOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 9092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8602 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 690mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC86244 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC86244 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 7263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC86244 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC86244 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC86244 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC86244 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC86244 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC86244 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 3626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC86244 Код товару: 142730
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC86244 | FDC86244 Транзисторы MOS FET Power | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC86244 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V | на замовлення 26418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC86244 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 50248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8878 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm | на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 15527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8878 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8878 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm | на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8884 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 33361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8884 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8884 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8884 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 31236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8886 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8886 | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | на замовлення 124596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 11650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC8886 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 3184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC8886 | ON Semiconductor | на замовлення 8980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC8973 | SMC | PLCC52 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC91C36 | на замовлення 496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDC91C36BP | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC91C36P | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 17950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9216 | DIP-8 | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDC9216BP | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9216BP | Microchip Technology | FDC9216BP | на замовлення 5583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9216BTMC | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC9216CD | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC9216P | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9216TMC | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC9216TMCP | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC9229BT | SMC | PLCC28 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC9229BT | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 12224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9229BTBI | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC9229BTCD | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9229BTLJP | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9229BTP | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9229T | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9229TP | SMSC | Description: FLOPPY DISK INTERFACE CIRCUIT Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9238B | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9238BT | SMSC | Description: FLOPPY DISK DATA SEPARATOR AND C Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDC9266 | SMC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

