Продукція > StP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 25, Qg, нКл = 54 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.07 грн
50+218.54 грн
100+211.63 грн
500+192.73 грн
1000+174.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.90 грн
10+303.90 грн
50+240.41 грн
100+228.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTN-MOSFET 20A 600V 45W STP20NM60FP TSTP20NM60FP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+211.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+319.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.79 грн
10+387.33 грн
50+309.27 грн
100+266.67 грн
500+225.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM65N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20S100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20S100CT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP210F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP210MWF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP210N75F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP210N75F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP210N75F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.80 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP210N75F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP210NF02
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP212252EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Yellow
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP212252AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP212252BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2150A
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N05L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N06L
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N06LF1
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 10.7A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V MDMesh M5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.81 грн
50+260.01 грн
100+238.52 грн
500+188.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP21N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 18.5 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A STP21N90K5 TSTP21N90K5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+301.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5
Код товару: 89432
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+472.22 грн
2+386.01 грн
5+343.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM50ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 17A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.14 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22
Код товару: 130515
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22SAMSUMBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2200ABGA
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2200BGASUN
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2202ABGASUNO1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2202ABGHBGA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2202BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.09 грн
2000+167.47 грн
3000+165.99 грн
4000+158.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.09 грн
2000+167.47 грн
3000+165.99 грн
4000+158.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2210
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2210QFPSUNQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2210QFP100-3988-01
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2210QFP100-3998-01
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2220ABGAFRI
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2220ABGA-100SUN
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2220BGA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2220BGA-100
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2220BGA100SUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2223BGASUN2001
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2223BGA-100-461
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2223BGA100-5387-01
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2231SOP
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232P
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232PBGASUN
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232PBGA-100-55
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232PBGA-100-5579-01=L2SUN2000 BGA
на замовлення 25593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232PBGA-100-5579-01=L2A0735
на замовлення 25593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232PBGA-100-5579-01L2A0735
на замовлення 25593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2232PBGA/L2A073
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP228267AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP228267BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.06 грн
105+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 196 mOhm typ 15 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NE03
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NE10L
Код товару: 116776
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NE10LSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NE10LSTTO-220
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NF03LSTN-MOSFET 22A 30V 45W STP22NF03L TSTP22NF03L
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM50
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM50FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 44nC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.37 грн
10+133.75 грн
50+110.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]