Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS630AON SemiconductorIRFS630A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.53 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 55970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AFAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BFairchild SemiconductorDescription: 9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS630B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BON SemiconductorIRFS630B
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.67 грн
505+69.90 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630B_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634AFAIRCHILDTO-220 05+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFAIRCHILDIRFS634B
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BTFairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R
Packaging: Bulk
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BTONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634BT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634B_FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AFAITO220 01+
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AON SemiconductorIRFS640A
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.53 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS640A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640B
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640BFPFAIRCHILD05+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640BT_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640B_FP001onsemi / FairchildMOSFET TO-220 ISO N-CH 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644BFAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644BYDTU_AS001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS650B
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 9856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654BFAIRCHILD07+ 220F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 21A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS720BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS720BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS720B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BFAIRCHILDIRFS730B
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.35 грн
1053+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BFAIRCHILDIRFS730B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.35 грн
1053+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 23487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS730B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BFAIRCHILDIRFS730B
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.35 грн
1053+33.52 грн
10000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740
Код товару: 98636
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740A
Код товару: 184388
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740AFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740Bonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740BTonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740B_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBF
Код товару: 98280
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.16 грн
10+105.43 грн
25+95.15 грн
100+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430PBFInfineon / IRMOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.07 грн
1600+133.86 грн
2400+131.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP
Код товару: 106258
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+371.11 грн
57+251.75 грн
100+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.42 грн
10+251.72 грн
100+180.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineonMOSFET N-CH 40V 522A D2PAK-7 (TO-263-7) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.11 грн
10+251.75 грн
100+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.01 грн
10+198.73 грн
100+153.06 грн
500+132.26 грн
800+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.66 грн
1600+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.01 грн
72+198.73 грн
100+153.06 грн
500+132.26 грн
800+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+347.43 грн
70+203.50 грн
100+153.65 грн
500+131.87 грн
800+115.11 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.43 грн
10+203.50 грн
100+153.65 грн
500+131.87 грн
800+115.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.43 грн
10+148.14 грн
25+131.21 грн
100+109.20 грн
500+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.55 грн
10+195.42 грн
100+137.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 551350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
10000+136.08 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00125 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434PBFInfineon / IRMOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRL7PPInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,5mOhm; 362A; 245W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFS7434-7-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7-GURT; IRFS7434-7P; IRFS7434TRL7PP-VB; IRFS743434TRL7PP TIRFS7434-7
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.64 грн
1600+116.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]