Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM320N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.9nC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
14+31.03 грн
25+23.40 грн
100+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+8.67 грн
9000+8.25 грн
15000+7.30 грн
21000+7.03 грн
30000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320N03CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 5.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320P15FNL
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM320VC5509AGHHTI01+ BGA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3400CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3400CX RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 30V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V, -3A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551.57 pF @ 15 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.95 грн
100+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM3401CX RFG TTSM3401cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551.57 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3401CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 296400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3403SOP-16
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3404CXTaiwan SemiconductorMOSFET 30V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3404CX RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3404CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.96 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3404CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM3404CX RFG TTSM3404cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3404CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 30V N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340IS_R1_00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers MICRO SURFACE MOUNT SCHOTTKY BRIDGE 40V 3A TDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340IS_R1_00001Panjit International Inc.Description: MICRO SURFACE MOUNT SCHOTTKY BRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340IS_R1_00001Panjit International Inc.Description: MICRO SURFACE MOUNT SCHOTTKY BRI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340IS_R2_00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers MICRO SURFACE MOUNT SCHOTTKY BRIDGE 40V 3A TDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 9227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.53 грн
100+31.86 грн
500+23.16 грн
1000+20.99 грн
3750+17.76 грн
7500+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CH X0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; 40W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Power dissipation: 40W
Case: IPAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 30A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.53 грн
100+31.86 грн
500+23.16 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.63 грн
5000+18.31 грн
7500+17.52 грн
12500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 40W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM340N06CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3424CX6RF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3433CX6 RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3441CX6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6Taiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6 RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V P Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
11+29.36 грн
100+19.52 грн
500+14.13 грн
1000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3443CX6RFG
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+58.12 грн
100+44.53 грн
500+33.04 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 20V, 5.3A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3446CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.50 грн
6000+23.76 грн
15000+22.88 грн
30000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3454CX6 RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3455CX6 RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3457CX6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3457CX6Taiwan SemiconductorMOSFETs 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3457CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 5A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551.57 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+67.48 грн
100+52.63 грн
500+40.80 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3457CX6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30V, -5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3457CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3457CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 5A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551.57 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.27 грн
6000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3460CX6
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3462CX6RF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3464CX6RF
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3478NL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6Taiwan SemiconductorMOSFETs 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6 RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 30V P channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6 RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM3481CX6 RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.038 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.45 грн
19+44.63 грн
100+41.78 грн
500+36.08 грн
1000+30.86 грн
5000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1047.98 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.09 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.92 грн
6000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.09 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1047.98 pF @ 15 V
на замовлення 11578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+85.06 грн
100+66.32 грн
500+51.41 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6 RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM3481CX6 RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.038 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.78 грн
500+36.15 грн
1000+30.86 грн
5000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM3481CX6RF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34C-1CGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, CANopen
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34C-3CGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, CANopen
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34C-5CGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, CANopen
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34C-6CGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, CANopen
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34IP-1DGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, EtherNet/IP, dual port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34IP-3DGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, EtherNet/IP, dual port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34IP-5DGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, EtherNet/IP, dual port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34IP-6DGApplied MotionStepper Motors NEMA 34 StepSERVO Integrated Motor w/ EtherNet/IP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34PN-6DGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, PROFINET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34Q-1DGApplied MotionStepper Motors NEMA 34 StepSERVO Integrated Motor w/ Q Programming and Modbus TCP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34Q-1RGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, Q programming, RS-485
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34Q-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, Q programming, RS-232
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34Q-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, Q programming, RS-485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM34Q-5RGApplied MotionStepper Motors NEMA 34, Q programming, RS-485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N03CP ROTaiwan SemiconductorMOSFET 25V N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N10CPTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 32A; 83,3W; -55°C ~ 150°C; TSM35N10CP ROG TSM35N10CP TTSM35n10cp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N10CPTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N10CP
Код товару: 204609
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1598 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1598 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM35N10CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM360N03PQ56Taiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM36ADBZRTexas InstrumentsDescription: TVS DIODE 36VWM 57VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 57V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2000W (2kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM36ADBZRTexas InstrumentsDescription: TVS DIODE 36VWM 57VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 57V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2000W (2kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
23+13.21 грн
26+11.71 грн
100+9.45 грн
250+8.71 грн
500+8.26 грн
1000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM36ADBZRTexas InstrumentsESD Suppressors / TVS Diodes 36-V, 1-kV/42-ohm TVS surge protection diode with 46-V clamping
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]