Продукція > TSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM24ADBZRQ1Texas InstrumentsESD Protection Diodes / TVS Diodes Automotive 24-V un i directional TVS su
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24ADBZRQ1Texas InstrumentsUnidirectional Surge Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24ADBZRQ1Texas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 38VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 54pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24BDBZRTexas InstrumentsESD Protection Diodes / TVS Diodes 24-V 30-kV unidire c tional surge-protec
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24BDBZRTexas InstrumentsUnidirectional Surge Protection Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24BDBZRTexas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 44VC SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 24pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 24.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V
Power - Peak Pulse: 800W
Power Line Protection: No
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
17+18.62 грн
25+16.60 грн
100+13.48 грн
250+12.48 грн
500+11.87 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24BDBZRTexas InstrumentsUnidirectional Surge Protection Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24BDBZRTexas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 44VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 24pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 24.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V
Power - Peak Pulse: 800W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRTexas InstrumentsLow Capacitance Surge Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRTexas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 35VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: CAN, Telecom
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1200W (1.2kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRTEXAS INSTRUMENTSCategory: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 1.2kW; 25.5V; 30A; bidirectional; SOT23-3
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 1.2kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 25.5V
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRTexas InstrumentsLow Capacitance Surge Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRTexas InstrumentsESD Protection Diodes / TVS Diodes 24-V bidirectional T VS surge-protectio
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRTexas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 35VC SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: CAN, Telecom
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1200W (1.2kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.68 грн
50+23.96 грн
100+19.81 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRQ1TEXAS INSTRUMENTSCategory: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 1.2kW; 25.5V; 30A; bidirectional; SOT23-3
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 1.2kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 25.5V
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRQ1Texas InstrumentsESD Protection Diodes / TVS Diodes Automotive 24-V 30 - A bidirectional s
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRQ1Texas InstrumentsLow Capacitance Surge Diode Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRQ1Texas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 35VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: CAN, Telecom
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1200W (1.2kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRQ1Texas InstrumentsLow Capacitance Surge Diode Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM24CADBZRQ1Texas InstrumentsDescription: TVS DIODE 24VWM 35VC SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: CAN, Telecom
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1200W (1.2kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.70 грн
50+25.44 грн
100+21.06 грн
500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250-130F-2Littelfuse Inc.Description: PTC RESET FUSE 60V 130MA 4SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.337" L x 0.323" W (8.55mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Hold (Ih) (Max): 130 mA
Current - Trip (It): 260 mA
Voltage - Max: 60V
Thickness (Max): 0.354" (9.00mm)
Current - Max: 3 A
Time to Trip: 2.4 s
Resistance - Initial (Ri) (Min): 4 Ohms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 15 Ohms
Resistance - 25°C (Typ): 9 Ohms
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
5+178.59 грн
10+164.76 грн
50+128.26 грн
100+118.32 грн
250+106.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250-130F-2Littelfuse Inc.Description: PTC RESET FUSE 60V 130MA 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.337" L x 0.323" W (8.55mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Hold (Ih) (Max): 130 mA
Current - Trip (It): 260 mA
Voltage - Max: 60V
Thickness (Max): 0.354" (9.00mm)
Current - Max: 3 A
Time to Trip: 2.4 s
Resistance - Initial (Ri) (Min): 4 Ohms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 15 Ohms
Resistance - 25°C (Typ): 9 Ohms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+90.95 грн
1200+80.67 грн
1800+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250-130F-2LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V 3A 130mA
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250-130F-RA-2Littelfuse Inc.Description: PTC RESET FUSE 60V 130MA 4SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.337" L x 0.323" W (8.55mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Hold (Ih) (Max): 130 mA
Current - Trip (It): 260 mA
Voltage - Max: 60V
Thickness (Max): 0.354" (9.00mm)
Current - Max: 3 A
Time to Trip: 2.4 s
Resistance - Initial (Ri) (Min): 4 Ohms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 30 Ohms
Resistance - 25°C (Typ): 22 Ohms
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
5+118.31 грн
10+112.40 грн
50+85.13 грн
100+72.18 грн
250+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250-130F-RA-2LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V 3A 130mA R.R. 4 - 22 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250-130F-RA-2Littelfuse Inc.Description: PTC RESET FUSE 60V 130MA 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Size / Dimension: 0.337" L x 0.323" W (8.55mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Hold (Ih) (Max): 130 mA
Current - Trip (It): 260 mA
Voltage - Max: 60V
Thickness (Max): 0.354" (9.00mm)
Current - Max: 3 A
Time to Trip: 2.4 s
Resistance - Initial (Ri) (Min): 4 Ohms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 30 Ohms
Resistance - 25°C (Typ): 22 Ohms
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+52.07 грн
1200+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 20V, 5.8A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CXTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 50682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.47 грн
50+19.21 грн
100+15.82 грн
500+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTSM250N02CX RFG TSM250N02CX MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
9000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.04 грн
28+27.41 грн
100+17.79 грн
250+16.30 грн
500+12.50 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.80 грн
6000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 5.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.51 грн
1000+2.36 грн
3000+2.20 грн
6000+2.02 грн
15000+1.96 грн
30000+1.88 грн
75000+1.74 грн
150000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX-01 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX-01 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX-01 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+16.72 грн
20000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX-01 RFGTaiwan SemiconductorTSM250N02CX-01 RFG
на замовлення 440000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+29.19 грн
20000+23.91 грн
30000+20.08 грн
40000+17.28 грн
50000+14.28 грн
100000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.06 грн
100+21.42 грн
500+15.38 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.8A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
6000+11.66 грн
9000+10.78 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 30 V
на замовлення 9954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.60 грн
100+28.56 грн
500+20.72 грн
1000+18.77 грн
2000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.05 грн
50+59.40 грн
100+49.78 грн
500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 27A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1307 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+43.60 грн
100+28.56 грн
500+20.72 грн
1000+18.77 грн
2000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 27A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1307 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.97 грн
10000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LCV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+68.36 грн
100+52.31 грн
500+39.09 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -9.5A, Complementary, N and P-channel dual MOSFETs;20V, 13A, Complementary, N and P-channel dual MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQTaiwan SemiconductorTSM2537CQ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQ RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc), 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
на замовлення 28322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
50+29.05 грн
100+24.09 грн
500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQ RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQ RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2537CQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc), 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.96 грн
9000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2538CQTaiwan SemiconductorTSM2538CQ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2538CQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.89W (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 10A (Tc), 4.4A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534pF @ 10V, 909pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 4.5V, 70mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, 9.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
на замовлення 11677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.72 грн
100+23.89 грн
500+17.22 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2538CQ RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.89W (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 10A (Tc), 4.4A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534pF @ 10V, 909pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 4.5V, 70mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, 9.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM25N03CPTaiwan SemiconductorMOSFET 25V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.32 грн
9000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.56W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Gate charge: 19.5nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 12001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.31 грн
100+20.87 грн
500+14.97 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.40 грн
6000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -6.5A; 1.56W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT26
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM260P02CX6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
на замовлення 10596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.82 грн
100+23.25 грн
500+16.74 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM27C010A-12JL
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM27M2CN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCRTaiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators 60V, 28A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM280NB06LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+49.96 грн
100+32.77 грн
500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.