Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS340NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS340NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL+N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS35PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS36PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS37PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS38PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS38
Код товару: 105776
Додати до обраних Обраний товар
ChinaТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS39PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS40PHILIPS
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS41PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.60 грн
500+11.94 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
11+28.13 грн
100+18.03 грн
500+12.82 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.53 грн
32+25.39 грн
100+17.60 грн
500+11.94 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.62 грн
100+15.69 грн
500+11.10 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Nch 30V 1A Amplification Transistor
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS42PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS43PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A TO39
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
Power - Max: 870 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44Semelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 65Vcbo PNP 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS44 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 65Vcbo PNP 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS45PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS46PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS47PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS48PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS49PHI/MOT
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS50PHI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Bss500HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 500mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.500MXP; 179020.0,5; 0034.1513 Fuse: fast-acting; 500mA Bss500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bss500HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 500mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.500MXP; 179020.0,5; 0034.1513 Fuse: fast-acting; 500mA Bss500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bss500HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 500mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.500MXP; 179020.0,5; 0034.1513 Fuse: fast-acting; 500mA Bss500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS51PHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.38 грн
28+29.73 грн
100+19.05 грн
500+12.39 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PCH 30V 1A AMP TRANS
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.05 грн
500+12.39 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
12+25.67 грн
100+16.45 грн
500+11.70 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -30V -1A Amplification Transistor
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
13+23.13 грн
100+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS52PHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS52Semelab (TT electronics)BSS52
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS52Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS52Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS53PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS53A
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS53B
на замовлення 11689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS54PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS54A
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS54B
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS55PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS5509DENERPAC PRODUCTION AUTOMATIONDescription: SPRING
Packaging: Bulk
Type: Spring
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS55A
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS55B
на замовлення 5667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS56PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS57PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS58PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS58N-02AAVR0NN-0013Pepperl+Fuchs, Inc.Description: ENC ABSLT BINARY USR SELECT CONN
Packaging: Box
Output Type: Binary (Absolute)
Mounting Type: Flange Mount
Orientation: User Selectable
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 29.5V ~ 31.6V
Encoder Type: Absolute
Detent: No
Actuator Type: Hole for Shaft
Built in Switch: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS59PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS60PH
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606N-P 603N.TECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327InfineonТранзистори
на замовлення 908 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327Infineon technologies
на замовлення 18996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327Infineon TechnologiesDescription: BSS606 - 250V-600V SMALL SIGNAL
на замовлення 350865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2035 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
на замовлення 10338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
11+29.03 грн
100+19.47 грн
500+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.24 грн
27+30.05 грн
50+25.31 грн
200+19.03 грн
500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.10 грн
615+23.01 грн
732+19.33 грн
1000+15.91 грн
2000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.55 грн
2000+10.71 грн
3000+10.61 грн
5000+9.83 грн
7000+9.44 грн
10000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.90 грн
16+26.53 грн
50+19.32 грн
100+17.08 грн
500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 60V 3.2A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.31 грн
200+19.03 грн
500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS61PHI/MOT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS62PHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS62 (транзистор)
Код товару: 64683
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63PHILIPSSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/ 100V/ 200mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63Fairchild/ON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 100, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2,5 мA, 25 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63onsemiBipolar Transistors - BJT PNP/ 100V/ 200mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63ONS/FAISOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6045+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 6045 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]