Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB60NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NH02LT4ST0336+
на замовлення 18558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6100ST2010+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6100T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6511EICTVS Diode Single Bi-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6511EICTVS Diode Single Bi-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6512EICTVS Diode Single Bi-Dir 10.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6512EICTVS Diode Single Bi-Dir 10.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6513EICTVS Diode Single Bi-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6513EICTVS Diode Single Bi-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6522EICTVS Diode Single Bi-Dir 18.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6522EICTVS Diode Single Bi-Dir 18.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6527EICTVS Diode Single Bi-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6527EICTVS Diode Single Bi-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6536EICTVS Diode Single Bi-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6536EICTVS Diode Single Bi-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6543EICTVS Diode Single Bi-Dir 36.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6543EICTVS Diode Single Bi-Dir 36.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6547EICTVS Diode Single Bi-Dir 40.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6547EICTVS Diode Single Bi-Dir 40.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6556EICTVS Diode Single Bi-Dir 47.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6556EICTVS Diode Single Bi-Dir 47.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB656IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB656IST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB656IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB657FST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB65D5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB65E0
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB65E5
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB65G0
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB65G4
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB65G4-T/REIC SEMICONDUCTOR INC.Description: BI-DIRECTIONAL TVS 600W, CASE TY
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 602V
Voltage - Breakdown (Min): 418V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 376V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6LNC60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N52K3STMicroelectronics
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.56 грн
10+95.92 грн
100+65.03 грн
500+48.16 грн
1000+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.87 грн
120+117.86 грн
129+110.32 грн
200+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.88 грн
100+64.38 грн
500+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.40 грн
14+57.44 грн
25+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.91 грн
2000+43.56 грн
3000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V DPAK
Part Status: Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N65K3STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.44 грн
10+96.15 грн
100+56.50 грн
500+45.77 грн
1000+40.97 грн
2000+38.32 грн
5000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N65M2STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.38 грн
10+94.55 грн
100+54.97 грн
500+45.57 грн
1000+38.74 грн
2000+37.27 грн
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.46 грн
10+123.39 грн
100+76.64 грн
500+64.73 грн
1000+54.69 грн
2000+51.98 грн
5000+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.38 грн
10+120.30 грн
100+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.58 грн
2000+75.37 грн
3000+74.61 грн
10000+71.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMN-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NA60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NA80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NA80T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NB50-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NB50T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NB60-1
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NB90ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NB90-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC60-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC80Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC80ZT4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC90STTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC90Z
Код товару: 3807
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC90ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NC90Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z
Код товару: 58048
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.48 грн
10+153.84 грн
100+96.84 грн
500+79.43 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]