Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU7440PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 70363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+101.23 грн
500+91.11 грн
1000+84.02 грн
10000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.56 грн
137+103.49 грн
200+95.02 грн
500+74.57 грн
1000+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+101.23 грн
500+91.11 грн
1000+84.02 грн
10000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+101.23 грн
500+91.11 грн
1000+84.02 грн
10000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
на замовлення 36918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU7440PBF - IRFU7440 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+101.23 грн
500+91.11 грн
1000+84.02 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBFInternational RectifierDescription: IRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
на замовлення 108371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7540PBFInfineon / IRMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 14600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+183.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A IPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7540PBFInfineon
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.08 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7546Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7546PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7546PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7546PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU7546PBF - IRFU7546 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7546PBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7740PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU7740PBF - IRFU7740PBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7740PBFInfineon / IRMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7740PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.60 грн
500+78.12 грн
1000+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7740PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 87A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7746PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7746PBFInternational RectifierDescription: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7746PBFInfineon / IRMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7746PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7833-701IR05+
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9010PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
75+67.86 грн
150+61.02 грн
525+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010PBFVISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 50V 5.3 Amp
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014VishayP-MOSFET 5.1A 60V 2.5W IRFU9014 TIRFU9014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFU9014PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 5.1 Amp
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.83 грн
75+42.55 грн
150+41.48 грн
525+38.38 грн
1050+36.74 грн
2025+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9020PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 8091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.90 грн
75+65.55 грн
150+58.77 грн
525+48.41 грн
1050+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9022
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024AOU413AO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NInternational RectifierP-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NIRTO251 10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024N
Код товару: 28049
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF
Код товару: 31708
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+44.59 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInternational RectifierIPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.52 грн
274+51.55 грн
329+43.01 грн
525+37.94 грн
1050+34.78 грн
2025+30.48 грн
5025+29.03 грн
10050+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 9203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+44.59 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 38W
Gate charge: 12.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
On-state resistance: 0.175Ω
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.87 грн
10+45.20 грн
25+39.28 грн
75+33.18 грн
150+30.73 грн
375+27.85 грн
525+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+68.80 грн
150+58.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.70 грн
75+51.72 грн
150+43.15 грн
525+38.07 грн
1050+34.89 грн
2025+30.59 грн
5025+29.13 грн
10050+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.69 грн
10+94.17 грн
75+66.61 грн
150+56.20 грн
525+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.76 грн
282+50.21 грн
333+42.39 грн
525+37.59 грн
1050+34.46 грн
2025+30.37 грн
5025+29.17 грн
10050+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.00 грн
188+75.13 грн
198+71.28 грн
525+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.26 грн
10+102.00 грн
75+75.13 грн
150+68.74 грн
525+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Power dissipation: 42W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.28Ω
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.25 грн
10+66.54 грн
75+57.05 грн
150+53.58 грн
525+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF
Код товару: 195135
Додати до обраних Обраний товар
VBSEMIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 596 шт
  • 596 шт - склад
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+51.99 грн
525+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.80 грн
189+74.85 грн
199+71.11 грн
525+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.84 грн
10+169.95 грн
75+121.69 грн
150+105.99 грн
525+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF
Код товару: 49504
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 8,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.08 грн
10+97.07 грн
75+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.26 грн
10+102.01 грн
75+75.75 грн
150+69.38 грн
525+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFIRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.33 грн
138+102.34 грн
150+96.02 грн
525+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110Harris CorporationDescription: 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110IRTO-251
на замовлення 77665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 225  [ Наступна Сторінка >> ]