Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.07 грн
146+96.89 грн
162+87.30 грн
525+71.01 грн
1050+60.47 грн
2025+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.45 грн
75+71.98 грн
150+64.85 грн
525+51.33 грн
1050+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.23 грн
75+79.14 грн
150+71.91 грн
525+62.06 грн
1050+55.23 грн
2025+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 20996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF
Код товару: 73659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.89 грн
180+78.83 грн
197+71.64 грн
525+61.83 грн
1050+55.02 грн
2025+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.36 грн
205+68.88 грн
219+64.54 грн
525+61.61 грн
1050+53.59 грн
2025+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9N20DIR04+
на замовлення 24696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20VishayN-MOSFET 2A 600V 2,5W IRFUC20 TIRFUC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF
Код товару: 25612
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.68 грн
291+48.66 грн
293+48.18 грн
296+46.00 грн
500+42.16 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.06 грн
15+53.55 грн
25+48.55 грн
50+46.35 грн
100+42.49 грн
500+40.38 грн
1000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFV064Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-258AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFV064Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW120TUSAMSUNG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW16N15
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW44AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW450IR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW510AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW510ATMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW520AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW520ATMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
774+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW520ATMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530ATMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530ATMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW530ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540A
Код товару: 62958
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 30307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW540ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550ATMFairchild SemiconductorDescription: 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW550ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550ATMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610ATMSAMSUNG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610ATUIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BTMFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW610BTMFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BTMFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW614AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW614BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW620BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW624AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW624BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTM-FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTM_FP001Fairchild SemiconductorDescription: 9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BTM
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BTMFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BTMFP001IRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
875+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFAIRCHILDIRFW644BTM
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW644BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFAIRCHILDIRFW644BTM
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 12712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFAIRCHILDIRFW644BTM
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMAS003IRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTM_FP001ON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW650BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW650BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW654BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW720BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 223  [ Наступна Сторінка >> ]