Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFW610ATMSAMSUNG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610ATUIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BTMFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW610BTMFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610BTMFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW614AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW614BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW620BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW620BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW624AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW624BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTM-FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW630BTM_FP001Fairchild SemiconductorDescription: 9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BTM
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BTMFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW634BTMFP001IRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
875+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW640BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFAIRCHILDIRFW644BTM
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFAIRCHILDIRFW644BTM
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW644BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 12712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMFAIRCHILDIRFW644BTM
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTMAS003IRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW644BTM_FP001ON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW650BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW650BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW654BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW710BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW720BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMNLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW720BTMNLONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW720BTMNL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW7308TM-NL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730ATMSAMSUNGTO-263
на замовлення 227200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730ATUIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 12957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW730BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BTMNLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 49019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BTMNLONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW730BTMNL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW730BTWFAIRCHILD2002 TO-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740ATMSAMSUNGTO-263
на замовлення 249200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 68900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW740BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 70400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740BTMFAIRCHILDIRFW740BTM
на замовлення 70400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.83 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW740BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820ATMSAMSUNGTO-263
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW820BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW820TMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830B-TFFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW830BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BTMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW840BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW840BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ14AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ24AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ34AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFWZ44AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130Semelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFY130CMSCXInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA Isolated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 225  [ Наступна Сторінка >> ]