Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | на замовлення 12123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -14.5A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 18Amp P channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 | Taiwan Semiconductor | Dual P Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 9816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60, -12, Dual P-Channel | на замовлення 6565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6866SDCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 20V, 6A, DUAL N-CHANNEL POWER MO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 0.6V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.6W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Dual 20V N channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 6A, Dual N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6963SDCA | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6963SDCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.14W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.14W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 63143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.14W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -4.5A, Dual P-Channel Power MOSFET | на замовлення 21207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 68mOhm; 4,5A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; TSM6963SDCA RVG TSM6963SDCA TTSM6963sdca кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6963SDCARV | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM6968DCA | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968DCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968DCA | TSM | SSOP-8 | на замовлення 293774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968DCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 501000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968DCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N channel Mosfet ESD protected | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968DCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968SDA-RV | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM6968SDCA | SOP-8 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| TSM6968SDCA | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968SDCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968SDCA RV | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N Channel MOSFET ESD protected | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 8927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 6.5A, Dual N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 8927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM6981DCARV | на замовлення 18059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TSM6D138M010AH6410D493 | KEMET | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 1300uF 2917 20% ESR=83mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6D138M010AH6410D493 | KEMET | Description: CAP TANT 1300UF 20% 10V SMD Voltage - Rated: 10 V Capacitance: 1300 µF Height - Seated (Max): 0.377" (9.58mm) Manufacturer Size Code: 6D ESR (Equivalent Series Resistance): 83mOhm Ratings: COTS Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Molded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm) Package / Case: Stacked SMD, 6 J-Lead Features: High Reliability Tolerance: ±20% Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CH | Taiwan Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CH C5 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N Channl Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V N Channl Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6N60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM6NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 600V, 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N10CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 100V, 70A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252 Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N10CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V 70A Single N-Ch annel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 3.3A, 1400mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 700V, 3.3A, 1400mOhm | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO251 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM70N380CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6.6A Power dissipation: 125W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 18.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6.6A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 18.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6.6A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.8nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V | на замовлення 14899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM70N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM70N380CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600ACL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600ACL X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600ACL X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO262S Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 8A, 600mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A Power dissipation: 83W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| TSM70N600CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM70N600CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 8A, 600mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |