Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD8896-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+602.28 грн
100+571.63 грн
500+542.17 грн
1000+493.25 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-SN00320ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8896-SN00320 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-SN00320ON SemiconductorFDD8896-SN00320
на замовлення 31629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.98 грн
1000+49.79 грн
10000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-TPTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC TFDD8896 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896AFAIRCHILD03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896A TO-252 (транзистор)
Код товару: 47335
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896_F085Aonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896_Gonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896_NBSW006Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8N50NZonsemionsemi UF2 500V 1.2OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8N50NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8N50NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8N50NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8N50NZTMonsemi / FairchildMOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET DPAK
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8N50NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
13+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+76.99 грн
1000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407-F085onsemi / FairchildMOSFET NMOS DPAK 40V 2 MOHM
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.33 грн
10+129.24 грн
100+99.17 грн
500+76.99 грн
1000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+83.03 грн
1000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.29 грн
10+152.81 грн
100+117.05 грн
500+83.03 грн
1000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.79 грн
7500+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407L-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9407_SN00283onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+61.82 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.42 грн
100+72.84 грн
500+54.87 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.46 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.50 грн
10+101.61 грн
100+86.97 грн
500+61.82 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.85 грн
156+91.07 грн
157+90.42 грн
181+75.53 грн
250+69.40 грн
500+64.09 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.85 грн
10+91.07 грн
25+90.42 грн
100+75.53 грн
250+69.40 грн
500+64.09 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.46 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085onsemi / FairchildMOSFET N-channel Power Trench MOSFET
на замовлення 12533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 323756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
10000+122.75 грн
100000+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 496970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
10000+122.75 грн
100000+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085ON Semiconductor
на замовлення 9927 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.98 грн
12+66.64 грн
25+66.06 грн
100+45.95 грн
250+42.16 грн
500+35.10 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench 40V, 50A, 4.1m?
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410L-F085ON Semiconductor
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET ICE Mosfet
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
на замовлення 222187500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9410_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 15A DPAK N-Chnl PowerTrench
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411L-F085ON SemiconductorDescription: NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8N 40V N-ChannelLL PowerTrench MOSFET
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411L-F085ON SemiconductorDescription: NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM
на замовлення 9437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9411_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
на замовлення 248040000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9507L-F085onsemiMOSFET PMOS DPAK -40V -100A 4.4 mOhm
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 482-491 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9507L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.46 грн
10+121.66 грн
25+118.34 грн
100+91.18 грн
250+81.55 грн
500+68.16 грн
1000+58.93 грн
3000+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9507L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 227W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9507L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9507L-F085ON Semiconductor
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9507L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 227W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+74.86 грн
500+71.66 грн
1000+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9509L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9509L-F085onsemiMOSFETs PT8P 40V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9509L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL DPAK
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9510L-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9510L-F085ON SemiconductorMOSFET 40V P-Chnl Power Trench Mosfet
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9510L-F085ON Semiconductor
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9510L-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9510L-F085Fairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2020 @ 20, Qg, нКл = 37, Rds = 13,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 75, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+95.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085ON Semiconductor
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 25A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9511L-F085onsemiMOSFET 40V P-Chnl Power Trench Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDDD1.25-187(8)Yueqing Chaodao Electrical Connection Co., LtdКлема ножева Клеми, наконечники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDDF80R12W1H3B52BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+2345.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]