Продукція > ISC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.61 грн
253+56.05 грн
285+49.75 грн
292+46.92 грн
500+39.25 грн
1000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.94 грн
14+56.61 грн
25+56.05 грн
100+47.98 грн
250+43.44 грн
500+37.68 грн
1000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 7025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.30 грн
1000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.30 грн
1000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.93 грн
211+67.21 грн
238+59.66 грн
255+53.76 грн
1000+46.30 грн
5000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
50+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.34A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
10+127.89 грн
100+88.21 грн
500+66.86 грн
1000+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.99 грн
10+138.53 грн
100+98.26 грн
500+74.79 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.34A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
500+126.39 грн
1000+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+128.61 грн
100+77.32 грн
500+64.13 грн
1000+62.34 грн
2500+60.54 грн
5000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.26 грн
500+74.79 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMInfineonMOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC300N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.72 грн
10+168.12 грн
100+116.73 грн
500+88.94 грн
1000+82.32 грн
2000+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+154.81 грн
100+93.89 грн
500+75.94 грн
1000+74.56 грн
2500+71.80 грн
5000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC300N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISC300N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6Infineon Technologies IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.02 грн
19+44.70 грн
100+33.59 грн
500+25.95 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.43 грн
23+34.34 грн
25+34.27 грн
100+32.96 грн
250+30.44 грн
500+29.15 грн
1000+29.08 грн
3000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.69 грн
100+37.62 грн
500+27.62 грн
1000+25.15 грн
2000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.59 грн
500+25.95 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.96 грн
150000+46.57 грн
225000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+56.13 грн
100+33.27 грн
500+26.85 грн
1000+23.89 грн
2500+23.20 грн
5000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC320N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.34 грн
414+34.27 грн
415+34.18 грн
416+32.88 грн
500+30.37 грн
1000+29.08 грн
3000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC422600+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC5035-20KINGSKYPLCC68
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC5065N00+
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC5100IMAGIS BGA 12+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC5342-3ICSPLCC-68
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC6227CAZINTERSILSSOP8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC7106IJLINTERSIL/HAR04+ DIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC715B12HARRIS
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.3A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+140.52 грн
100+85.60 грн
500+71.11 грн
1000+69.72 грн
5000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.87 грн
500+77.03 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.3A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
10+126.84 грн
100+87.81 грн
500+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC750P10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.12 грн
10+138.53 грн
100+99.87 грн
500+77.03 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.75 грн
238+59.65 грн
500+54.26 грн
1000+44.24 грн
2000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.33 грн
500+44.57 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.42 грн
100+47.90 грн
500+35.48 грн
1000+32.43 грн
2000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
10+94.47 грн
100+54.26 грн
500+43.08 грн
1000+38.24 грн
2500+34.93 грн
5000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.17 грн
11+75.50 грн
100+60.24 грн
500+52.84 грн
1000+41.37 грн
2000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
11+77.64 грн
100+55.33 грн
500+44.57 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC90C64AVPLCC
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC9148F-12
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC9520BF-28ISC
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC9810VIPAMI00+
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISCA708679AMIS09+ SOP24
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISCB-A-EVBSilicon LabsSi475x/6x In-System Control Board BOARD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCAU05XUNZELDescription: SOLAR CHARGER 5A 12V
Mounting Type: Wall Mount
Size / Dimension: 5.20" L x 2.91" W x 1.06" H (132.0mm x 74.0mm x 27.0mm)
Battery Cell Size: 12V
Packaging: Retail Package
Charge Current - Max: 5A
Voltage - Nominal: 12V
Power - Max: 80W
Battery Chemistry: Lead Acid
Type: 12V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1703.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCAU10XUNZELDescription: SOLAR CHARGER 10A 12V
Charge Current - Max: 10A
Voltage - Nominal: 12V
Power - Max: 150W
Battery Chemistry: Lead Acid
Type: 12V
Mounting Type: Wall Mount
Size / Dimension: 5.20" L x 2.91" W x 1.22" H (132.0mm x 74.0mm x 31.0mm)
Battery Cell Size: 12V
Packaging: Retail Package
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2128.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCAU1012LIXUNZELDescription: SOLAR CHARGER 10A 12V LITHIUM
Packaging: Retail Package
Battery Cell Size: 12V
Size / Dimension: 5.20" L x 2.91" W x 1.22" H (132.0mm x 74.0mm x 31.0mm)
Mounting Type: Wall Mount
Type: Solar Charger
Battery Chemistry: LiFePO4
Power - Max: 150W
Voltage - Nominal: 12.8V
Charge Current - Max: 10A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2214.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCAU15124XUNZELDescription: SOLAR CHARGER 15A 12/24V
Charge Current - Max: 15A
Voltage - Nominal: 12V/24V
Power - Max: 240W, 480W
Battery Chemistry: Lead Acid
Type: 12V, 24V
Mounting Type: Wall Mount
Size / Dimension: 5.20" L x 2.91" W x 1.22" H (132.0mm x 74.0mm x 31.0mm)
Battery Cell Size: 12V, 24V
Packaging: Retail Package
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2810.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCAU15124LIXUNZELDescription: SOLAR CHARGER 10A 12/24V LITHIUM
Packaging: Retail Package
Battery Cell Size: 12V, 24V
Size / Dimension: 5.20" L x 2.91" W x 1.22" H (132.0mm x 74.0mm x 31.0mm)
Mounting Type: Wall Mount
Type: Solar Charger
Battery Chemistry: LiFePO4
Power - Max: 240W, 480W
Voltage - Nominal: 12V/24V
Charge Current - Max: 15A
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3066.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCLX20124UXUNZEL ENERGYSmart Solar Charge and Discharge Controller
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9919.95 грн
10+9501.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCLX20124UXUNZELDescription: SOLAR CHARGER 20A 12/24V
Charge Current - Max: 20A
Voltage - Nominal: 12V/24V
Power - Max: 360W, 720W
Battery Chemistry: Lead Acid, Lithium-Ion
Type: 12V, 24V
Mounting Type: Wall Mount
Size / Dimension: 7.44" L x 3.78" W x 2.09" H (189.0mm x 96.0mm x 53.0mm)
Battery Cell Size: 12V, 24V
Packaging: Retail Package
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3901.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCLX40124UXUNZEL ENERGYSmart Solar Charge and Discharge Controller
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12565.38 грн
10+12035.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCLX40124UXUNZELDescription: SOLAR CHARGER 40A 12/24V
Charge Current - Max: 40A
Voltage - Nominal: 12V/24V
Power - Max: 720W, 14400W
Battery Chemistry: Lead Acid, Lithium-Ion
Type: 12V, 24V
Mounting Type: Wall Mount
Size / Dimension: 7.44" L x 3.78" W x 2.09" H (189.0mm x 96.0mm x 53.0mm)
Battery Cell Size: 12V, 24V
Packaging: Retail Package
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4982.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCLXC30124XUNZELDescription: SOLAR CHARGER 30A 12/24V
Battery Cell Size: 12V, 24V
Packaging: Retail Package
Charge Current - Max: 30A
Voltage - Nominal: 12V/24V
Power - Max: 450W, 900W
Battery Chemistry: Lead Acid, Lithium-Ion
Type: 12V, 24V
Mounting Type: Wall Mount
Size / Dimension: 6.54" L x 4.65" W x 2.48" H (166.0mm x 118.0mm x 63.0mm)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7651.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCLXM30124XUNZELDescription: SOLAR CHARGER MPPT 30A 12/24V
Packaging: Retail Package
Battery Cell Size: 12V, 24V
Size / Dimension: 7.20" L x 4.82" W x 2.66" H (183.0mm x 122.5mm x 67.5mm)
Mounting Type: Wall Mount
Type: Solar Charger
Battery Chemistry: Lead Acid, Lithium-Ion
Power - Max: 400W, 800W
Voltage - Nominal: 12V/24V
Charge Current - Max: 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13940.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCCPC5VMatrix OrbitalDescription: CABLE DB9 TO FLOPPY HEADER
Packaging: Box
For Use With/Related Products: GTT-480270A
Accessory Type: Cable
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCD243110QCDISCQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 541A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.80 грн
10+244.84 грн
100+190.88 грн
500+153.31 грн
1000+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 61A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH42N04LM7ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.88 грн
500+153.31 грн
1000+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 61A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH42N04LM7ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH54N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.78 грн
10+171.48 грн
100+108.38 грн
500+91.12 грн
1000+84.22 грн
2500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH54N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH54N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 458A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
10+173.43 грн
100+120.60 грн
500+91.98 грн
1000+85.17 грн
2000+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH54N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH54N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 458A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH57N04NM7VSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 443A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFETs in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.80 грн
10+192.92 грн
100+124.95 грн
500+104.24 грн
1000+96.65 грн
2000+90.43 грн
4000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH57N04NM7VSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 443A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH69N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+145.28 грн
100+86.98 грн
500+69.72 грн
1000+65.31 грн
2500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH69N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH69N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 357A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 82µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 20 V
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+127.51 грн
100+87.91 грн
500+66.62 грн
1000+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH69N04NM7VATMA1InfineonN-Channel 40 V 48A (Ta), 357A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH69N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISCH69N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 357A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 82µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH75N04NM7VSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFETs in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCHL BV 32/5 2X16/5/3XSSD 2M5Altech CorporationDescription: G6ST32 - IP44 200X300X200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCHL BV 32/5 2X16/5/3XSSD 2M5Altech G6ST32 - IP44 200X300X200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISCL-S12WC
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISCOPEIAR Systems Software Inc.Description: CURRENT AND VOLTAGE MEASUREMENT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISCOPE-ARMIAR SystemsTest Probes I-scope for ARM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]