Продукція > ISC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISC1812RVR33M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RVR39J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 394MA 450 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RVR39K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 394MA 450 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RVR47J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 342MA 600 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RVR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 342MA 600 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RVR82J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 271MA 950 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RVR82J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1812 IND 5% 0.82uH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RW4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 336MA 620MOHM SM Current Rating (Amps): 336 mA Inductance: 4.7 µH Height - Seated (Max): 0.134" (3.40mm) Supplier Device Package: 1812 Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Material - Core: Iron Powder Frequency - Self Resonant: 50MHz Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz DC Resistance (DCR): 620mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Drum Core, Wirewound Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) Package / Case: 1812 (4532 Metric) Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 279MA 900MOHM SMD Current Rating (Amps): 279 mA Inductance: 10 µH Height - Seated (Max): 0.134" (3.40mm) Supplier Device Package: 1812 Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Material - Core: Iron Powder Frequency - Self Resonant: 25MHz Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz DC Resistance (DCR): 900mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Drum Core, Wirewound Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) Package / Case: 1812 (4532 Metric) Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX100K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1812 10 10% R92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX120K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 265MA 1 OHM SMD Current Rating (Amps): 265 mA Inductance: 12 µH Height - Seated (Max): 0.134" (3.40mm) Supplier Device Package: 1812 Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Material - Core: Iron Powder Frequency - Self Resonant: 22MHz Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz DC Resistance (DCR): 1Ohm Max Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Drum Core, Wirewound Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) Package / Case: 1812 (4532 Metric) Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX120K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1812 12 10% R92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX1R0K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 447MA 350 MOHM SMD | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 227MA 1.36OHM SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 390MA 460 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX2R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 378MA 490MOHM SM DC Resistance (DCR): 490mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Drum Core, Wirewound Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) Package / Case: 1812 (4532 Metric) Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Current Rating (Amps): 378 mA Inductance: 2.7 µH Height - Seated (Max): 0.134" (3.40mm) Supplier Device Package: 1812 Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Material - Core: Iron Powder Frequency - Self Resonant: 67MHz Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 357MA 550MOHM SM Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz DC Resistance (DCR): 550mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Drum Core, Wirewound Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) Package / Case: 1812 (4532 Metric) Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Current Rating (Amps): 357 mA Inductance: 3.3 µH Height - Seated (Max): 0.134" (3.40mm) Supplier Device Package: 1812 Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Material - Core: Iron Powder Frequency - Self Resonant: 61MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX3R3K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1812 3.3 10% R92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 336MA 620 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 333MA 690 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX680K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1812 68 10% R92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RX680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 164MA 2.6 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1812 (4532 Metric) Size / Dimension: 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.6Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 7.6MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1812 Height - Seated (Max): 0.134" (3.40mm) Inductance: 68 µH Current Rating (Amps): 164 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RXR18M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180NH 468MA 320 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RXR27K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 270NH SMD | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RXR33J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RXR33K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812RXR39K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 394MA 450 MOHM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SY102K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1KuH 10% | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SY181K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 180uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SY1R0K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SY391J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 390uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SY680K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 68uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SY681K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 680uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1812SYR68K | Vishay / Dale | Fixed Inductors .68uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC1A01 | ST | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC2046IPW | BB | 06+ | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | на замовлення 7025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | на замовлення 7575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package | на замовлення 145000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 31A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.34A Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon | ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LM MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC240P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.34A Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC300N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC300N20NM6ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC300N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC300N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC300N20NM6ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 24A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 56µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V | на замовлення 4326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6 | Infineon Technologies | IFX FET >100-150V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V | на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC4226 | 00+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC5035-20 | KINGSKY | PLCC68 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC5065N | 00+ | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC5100 | IMAGIS BGA 12+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC5342-3 | ICS | PLCC-68 | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC6227CAZ | INTERSIL | SSOP8 | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC7106IJL | INTERSIL/HAR | 04+ DIP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC715B12 | HARRIS | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC750P10LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC750P10LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.3A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC750P10LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC750P10LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.3A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC750P10LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V | на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC800P06LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ISC90C64AV | PLCC | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC9148F-12 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC9520BF-28 | ISC | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC9810VIP | AMI | 00+ | на замовлення 222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISCA708679 | AMIS | 09+ SOP24 | на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISCB-A-EVB | Silicon Labs | Si475x/6x In-System Control Board BOARD кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

