Продукція > MT5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT53E4D1ABA-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4D1BHJ-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4D1BHJ-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4D1CDE-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4D1CDE-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4DADT-DC | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? VFBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4DADT-DC TR | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? VFBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4DANQ-DC | Micron | DRAM LPDDR4 6G ?? FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C | Micron | DRAM LPDDR4 128Gbit 32 200/264 LFBGA 8 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E4G32D8GS-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 4G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4G x 32 Bit | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 128Gbit 32 200/264 LFBGA 8 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 128Gbit 32 200/264 LFBGA 8 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AAT:D | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D | Micron | DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Z11M | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Memory Organization: 512M x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1Z11MWC1 | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G DIE 512MX16 Packaging: Box Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Memory Format: DRAM Supplier Device Package: Wafer Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT ES:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1520 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT ES:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT:B | Micron Technology | MT53E512M32D1KS-046 WT:B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1520 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16GBIT PAR 200WFBGA Мікропроцесори, мікроконтролери | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron Technology | LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DRAM Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR | Micron Technology | IC Memory DRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Z42M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron Technology | Mobile DDR4 SDRAM Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | Micron Technology | MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 UT | на замовлення 2057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA IT | на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT | на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 UT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BWT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BWT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AAT:D | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AAT:D | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D2FW-046 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AIT:D | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AIT:D TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 WT:D | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 Z11M 8Gb | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 WT:D | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D2FW-046 WT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:E | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:E | MICRON | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:F | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT ES:F | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT:A | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT:K | Micron | DRAM LPDDR4 32G 512MX32 FBGA Z41N | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT:K TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 512MX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

