Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 300 V | на замовлення 3726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 3.2A, 12V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 15A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 5A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 300 V | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6502CR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.4A/4A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 40W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 7038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET | на замовлення 5006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.4A/4A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 40W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM650N15CR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 150V, 24A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 150V, 9A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P02CX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -20V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 0.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 15113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V | на замовлення 70024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, -4.1A, Single P-Channel MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM650P03CX RFG TSM650P03CX TTSM650p03cx кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 15 V | на замовлення 60178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM650P03CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -4.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM65686-E | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM67V05-V35CRQ | на замовлення 182 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM67V05V-35CRQ | TEMIC | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM67V05V35CRQ | TEMIC | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM680P06CH | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-251S Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -14.5A, Single P-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 18A ITO220 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ITO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 17W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 18Amp P channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CP | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG; TSM680P06CP-ROG; TSM680P06CP TTSM680p06cp кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM680P06CP | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -14.5A, Single P-Channel Power MOSFET | на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V | на замовлення 12123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM680P06CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 18Amp P channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 | Taiwan Semiconductor | Dual P Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 9816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60, -12, Dual P-Channel | на замовлення 6565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM680P06DPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Dual 20V N channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 20V, 6A, DUAL N-CHANNEL POWER MO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 0.6V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.6W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 6A, Dual N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.14W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.14W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 68mOhm; 4,5A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; TSM6963SDCA RVG TSM6963SDCA TTSM6963sdca кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -4.5A, Dual P-Channel Power MOSFET | на замовлення 21207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.14W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 63143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6963SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6963SDCARV | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM6968DCA | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968DCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968DCA | TSM | SSOP-8 | на замовлення 293774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968DCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968DCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N channel Mosfet ESD protected | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968DCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 501000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968SDA-RV | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM6968SDCA | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA | SOP-8 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM6968SDCA RV | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N Channel MOSFET ESD protected | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 8927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 6.5A, Dual N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 8927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6981DCARV | на замовлення 18059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM6D138M010AH6410D493 | KEMET | Description: CAP TANT 1300UF 20% 10V SMD Voltage - Rated: 10 V Capacitance: 1300 µF Height - Seated (Max): 0.377" (9.58mm) Manufacturer Size Code: 6D ESR (Equivalent Series Resistance): 83mOhm Ratings: COTS Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Molded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm) Package / Case: Stacked SMD, 6 J-Lead Features: High Reliability Tolerance: ±20% Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6D138M010AH6410D493 | KEMET | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 1300uF 2917 20% ESR=83mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM6N50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |