Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 217 218 219 220 221 222 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFZ44ZS
Код товару: 99523
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 51 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1420/29
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+31.00 грн
10+26.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFZ44ZSTRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
1000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ45IR09+ SOP-6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46Vishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46
Код товару: 24066
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/65
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 46A, 16.5 mOhm, 48 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.92 грн
6+77.82 грн
10+64.43 грн
50+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.65 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.65 грн
500+80.68 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ46NLPBF - IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+89.65 грн
500+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.01 грн
10+81.92 грн
100+56.11 грн
500+44.93 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF
Код товару: 48533
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 53 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,020 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
  • 58 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+26.00 грн
10+24.50 грн
100+21.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=53A@T=25C, Id=37A@T=100C, Rds=16.5 mOhm(typ), P=107W, -55 to +175C), Pb-free.... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.01 грн
173+81.92 грн
252+56.11 грн
500+44.93 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.15 грн
10+95.81 грн
100+63.67 грн
500+48.10 грн
1000+40.58 грн
2000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.93 грн
10+61.92 грн
25+53.22 грн
50+47.53 грн
100+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.98 грн
10+58.89 грн
100+38.94 грн
500+28.50 грн
1000+25.91 грн
2000+23.73 грн
5000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInternational Rectifier(TO-220AB) Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.29 грн
223+63.33 грн
500+49.61 грн
1000+43.58 грн
2000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF/IRIR08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46PBFIR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZPBFIR09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSPBFInternational RectifierDescription: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.20 грн
500+88.38 грн
1000+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V SINGLE N-CH 13.6mOhms 31nC
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSPBFIRto252 10+
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.20 грн
500+88.38 грн
1000+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.48 грн
10+81.93 грн
25+75.64 грн
100+72.20 грн
500+66.19 грн
1000+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.93 грн
187+75.64 грн
189+74.88 грн
500+71.49 грн
1000+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SiliconixN-MOSFET 50A 60V 190W 0.018Ω IRFZ48; replacement: IRFB3806 IRFZ48 TIRFZ48
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 64A 55V 3.8W 0.14Ω IRFZ48N TIRFZ48n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N
Код товару: 14594
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,016 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2200/85
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBFIR06+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF
Код товару: 60156
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 64 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1970/81
Монтаж: THT
у наявності: 131 шт
  • 113 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFZ48; IRFZ48N; SP001552474; IRFZ48N-ML MOSLEADER TIRFZ48n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N?94-2608?IRTO-220AB
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.22 грн
2000+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 36961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.71 грн
50+101.35 грн
100+90.52 грн
500+68.95 грн
1000+58.38 грн
2000+51.64 грн
5000+46.87 грн
10000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.48 грн
10+46.02 грн
50+43.43 грн
100+40.92 грн
250+37.82 грн
500+35.48 грн
1000+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 36960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+57.27 грн
249+56.70 грн
265+53.31 грн
500+43.93 грн
1000+38.10 грн
2000+32.64 грн
5000+31.30 грн
10000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.57 грн
50+56.62 грн
100+50.53 грн
500+37.37 грн
1000+34.14 грн
2000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.22 грн
2000+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 64 A, Ptot, Вт = 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1970 @ 25, Qg, нКл = 81 @ 10, Rds = 14 мОм @ 32 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF/IRIR08+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NS
Код товару: 32184
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 64 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,016 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2200/85
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+30.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 217 218 219 220 221 222 223  [ Наступна Сторінка >> ]