Продукція > tsm
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM8588CV | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8588CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM881AW-U | SANYO 1500/REEL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM881AW-V | SANYO | 09+ | на замовлення 392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM897EW-C | SAYNO | на замовлення 36486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM8N50CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N50CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N50CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N50CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N70CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 800V 7Amp N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N70CI C0 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N70CI C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 7A N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N70CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N70CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 7Amp N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N80CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 8A Single N-Cha nnel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N80CZ C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V 8A N Channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 800V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8S-3.1G-160-TR | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8S-3.1G-160-TR | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM8S7EW | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM9-4.3-100-TR | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-4.3-100-TR | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-5.0-160-B | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-5.0-160-B | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1001 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-5.0-260-TR | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-5.0-260-TR | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-5.0-520-TR | E-Switch | Tactile Switches TACT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-7.0-160-B | E-Switch | Description: SWITCH TACTILE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1001 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-7.0-160-B | E-Switch | Tactile Switches Tactile Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9-7.3K2.8-160-TR | E-Switch | Description: TSM9-7.3K2.8-160-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CH X0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL Case: IPAK SL Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 25W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | на замовлення 27881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | на замовлення 4942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223 Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: tape Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 4.17W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V | на замовлення 231 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N10CH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CH X0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 50W; IPAK SL Case: IPAK SL Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 9.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CH X0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N10CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 15A; 50W; DPAK,TO252; SMT Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Electrical mounting: SMT Gate charge: 9.3nC On-state resistance: 72mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 15A Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 100V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM900N10CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 50W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC On-state resistance: 72mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 15A Drain-source voltage: 100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 8435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V | на замовлення 21119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM9117ESA+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMP 1.6V PP W/REF 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF S8SOIC | на замовлення 4953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117EXK+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SC70-5 | на замовлення 5245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SC70-5 | на замовлення 5185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117EXK+T | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9117EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SC70-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9118EXK+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V O-D SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9118EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMP 1.6V SNGL W/REF SC70-5 | на замовлення 3984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9118EXK+T | Silicon Labs | SC70-5/I°/1.6V, NANOPOWER, COMPARATOR IC WITH REFERENCE, OPEN-DRAIN (2ND SO TSM9118SC70 кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9118EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMP 1.6V SNGL W/REF SC70-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9119EXK+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9119EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR SINGLE SC70-5 | на замовлення 5956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9119EXK+T | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9119EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR SINGLE SC70-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9119EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR SINGLE SC70-5 | на замовлення 5978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9120ESA+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V O-D 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9120ESA+ | Silicon Labs | Analog Comparators 1.6V, Nanopower Comparator w/o Ref | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9120ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC Hysteresis: 4mV CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR Current - Output (Typ): 50mA Current - Input Bias (Max): 0.001µA Voltage - Input Offset (Max): 5mV Current - Quiescent (Max): 800nA Propagation Delay (Max): 45µs Supplier Device Package: 8-SOIC Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: General Purpose Number of Elements: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: Open-Drain Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM9120ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: General Purpose Number of Elements: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: Open-Drain Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Hysteresis: 4mV CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR Current - Output (Typ): 50mA Current - Input Bias (Max): 0.001µA Voltage - Input Offset (Max): 5mV Current - Quiescent (Max): 800nA Propagation Delay (Max): 45µs | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM9120EXK+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.6V O-D SC70-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM9120EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SC70-5 Hysteresis: 4mV CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR Current - Output (Typ): 50mA Current - Input Bias (Max): 0.001µA Voltage - Input Offset (Max): 5mV Current - Quiescent (Max): 800nA Propagation Delay (Max): 45µs Supplier Device Package: SC-70-5 Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: General Purpose Number of Elements: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: Open-Drain Package / Case: 6-VSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM9120EXK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SC70-5 Hysteresis: 4mV CMRR, PSRR (Typ): 66.02dB CMRR, 80dB PSRR Current - Output (Typ): 50mA Current - Input Bias (Max): 0.001µA Voltage - Input Offset (Max): 5mV Current - Quiescent (Max): 800nA Propagation Delay (Max): 45µs Supplier Device Package: SC-70-5 Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.6V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: General Purpose Number of Elements: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: Open-Drain Package / Case: 6-VSSOP (5 Lead), SC-88A, SOT-353 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM917ESA+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.8V P-P 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMP 1.8V W/REF 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917ESA+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMP 1.8V W/REF 8SOIC | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917EUK+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.8V P-P SOT23-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917EUK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SOT23-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917EUK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SOT23-5 | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917EUK+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR W/REF SOT23-5 | на замовлення 5804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM917EUK+T | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR 1.8V P-P SOT23-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM921CSA+ | Touchstone Semiconductor | Description: IC COMPARATOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1455 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM921CSA+ | Silicon Labs | Description: IC COMPARATOR SGL REF 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 97 шт В кошику од. на суму грн. |