Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS2506SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 13 V | на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V | на замовлення 31733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2508SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 31736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 253 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2510SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 331 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 13 V | на замовлення 14256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBC-5700 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS256GBC-5700 - Flash-Speicherkarte, SD Express-Karte, 256 GB, Klasse 10, UHS-I U3, V30 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: V30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 256GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Flash-Speicherkarte: SD Express-Karte UHS-Standard: UHS-I U3 Produktpalette: Fx Premium Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS256GBE-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB TLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBG-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB TLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBG-XR00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS256GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 256 GB, 3.3 V, -25 °C, 85 °C tariffCode: 85235110 Flash-Speicherkarte: SD-Karte productTraceability: No rohsCompliant: YES Speicherkapazität: 256GB Versorgungsspannung, nom.: 3.3V euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -25°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS256GBG-XS00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS256GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 256 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 256GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: X-Mask Series productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS256GEC-5700 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB QLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: QLC Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 256GB MLC COMMERCIAL GRA Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 256GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEMORY CARD SD 256GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 256GB MLC GOLD GRADE Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Box Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Box Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/27A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 75 V | на замовлення 6444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/27A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 75 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 78W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi | MOSFETs LOW VOLTAGE | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V | на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2672 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A MLP-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2672 | onsemi | MOSFETs 200V N-Ch UltraFET | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A MLP-8 (5x6) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2734 | onsemi | MOSFETs 250V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2734 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2734 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2734 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 2.5 A, 0.122 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2D4N03S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2D4N03S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2D4N03S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2D4N03S | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT9 30V/16V NCH ERTREN MO | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2D4N03S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2D5N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V | на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2D5N08C | onsemi | MOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET | на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2D5N08C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2D5N08C | onsemi / Fairchild | MOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET | на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3006SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3006SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3006SDC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | Fairchild Semiconductor | Description: 29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Dual Cool™56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 15 V | на замовлення 7828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | onsemi | MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3008SDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3016DC | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3016DC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3016DC | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3500 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3500 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3500 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3500 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3500 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V | на замовлення 5427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3500 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench | на замовлення 3062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3500 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V | на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3572 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8 Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3572 | onsemi | MOSFETs 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3600AS | onsemi / Fairchild | MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3600AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W, 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3600S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3600S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3600S | ON Semiconductor | FDMS3600S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 T/R Si - Arrow.com | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3600S Код товару: 112021
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMS3600S | onsemi / Fairchild | MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3600S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS3602AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3602AS | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET | на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS3602AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

