Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS064GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 64GB MLC COMMERCIAL GRAD Part Status: Active Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 64GB MLC DIAMOND GR Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 64GB MLC DIAMOND GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 64GB MLC DIAMOND GRADE Part Status: Active Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 64GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 64GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 64GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 64GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 64GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 64GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Box Technology: MLC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 64GB PSLC Part Status: Active Technology: pSLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS064GPG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 64GB PSLC Part Status: Active Technology: pSLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 64GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A Pulsed drain current: 510A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V | на замовлення 10519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | onsemi / Fairchild | MOSFETs Energy Inversion DC-AC | на замовлення 2545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | onsemi | MOSFETs Energy Inversion DC-AC | на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GBC-3100 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXADV SD 128GB 3D TLC (-25C-85C) Packaging: Tray Memory Size: 128GB Speed: UHS Class 1 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GBC-5700 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS128GBC-5700 - SD-Karte, Fx Premium, 3D-TLC, 128GB, -25°C bis 85°C, 3.3V tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: V30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 128GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Flash-Speicherkarte: SD Express-Karte UHS-Standard: UHS-I U3 Produktpalette: Fx Premium Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GBE-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB TLC Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GBG-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB TLC Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GBG-XR00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS128GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 128 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 128GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SD-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GBG-XS00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS128GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 128 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 128GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: X-Mask Series productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GCE-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXADV II SD 128GB 3D PSLC DIAMON Part Status: Active Technology: pSLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GCG-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 128GB MLC COMMERCIAL GRA Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Tray Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 128GB MLC DIAMOND GRADE Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 128GB MLC DIAMOND GRADE Part Status: Active Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: X-MASK SD 128GB MLC DIAMOND GRAD Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 128GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB MLC Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB MLC Part Status: Active Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 128GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GPE-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 128GB PSLC Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS128GPG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: FXPREM II SD 128GB PSLC GOLD GRA Packaging: Tray Memory Size: 128GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: pSLC Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 16964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 53932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 54/126A Power dissipation: 26/42W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 4.9/1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33/117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | onsemi | MOSFET PT11N 30/12 & PT11 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 53932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS1D2N03DSD | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D4N03S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D4N03S | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D4N03S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 38A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D5N03 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D5N03 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D5N03 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS1D5N03 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2380 | Fairchild Semiconductor | Description: HALF BRIDGE PERIPHERAL DRIVER Part Status: Obsolete Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature Supplier Device Package: 18-Power QFN (12x8) Ratio - Input:Output: 1:1 Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Voltage - Load: 6V ~ 26V Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 30mOhm Output Configuration: Low Side Operating Temperature: -40°C ~ 160°C (TJ) Switch Type: Relay, Solenoid Driver Interface: On/Off Number of Outputs: 2 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 18-PowerQFN Packaging: Bulk | на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2380 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers Dual Integ Solenoid | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2380 | onsemi | Description: IC PWR DRIVER 1:1 18PWRQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 18-PowerQFN Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 2 Interface: On/Off Switch Type: Relay, Solenoid Driver Operating Temperature: -40°C ~ 160°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 30mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 6V ~ 26V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 18-Power QFN (12x8) Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2380 | FSC | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMS2504SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2504SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2504SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V | на замовлення 7247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2506SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 13 V | на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2506SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2506SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2508SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 31736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V | на замовлення 31733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2508SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 14256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2510SDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2510SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBC-5700 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS256GBC-5700 - Flash-Speicherkarte, SD Express-Karte, 256 GB, Klasse 10, UHS-I U3, V30 tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: V30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 256GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: Klasse 10 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Flash-Speicherkarte: SD Express-Karte UHS-Standard: UHS-I U3 Produktpalette: Fx Premium Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBE-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB TLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBG-3201 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB TLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: TLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBG-XR00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS256GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 256 GB, 3.3 V, -25 °C, 85 °C tariffCode: 85235110 Flash-Speicherkarte: SD-Karte productTraceability: No rohsCompliant: YES Speicherkapazität: 256GB Versorgungsspannung, nom.: 3.3V euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -25°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GBG-XS00 | FLEXXON | Description: FLEXXON - FDMS256GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 256 GB tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Video-Geschwindigkeitsklasse: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkapazität: 256GB isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -25°C Standard-Geschwindigkeitsklasse: - SVHC: To Be Advised Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte UHS-Standard: - Produktpalette: X-Mask Series productTraceability: No usEccn: 5A992.c Anwendungsleistungsklasse: - Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GEC-5700 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB QLC Part Status: Active Technology: QLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 256GB Packaging: Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMC-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 256GB MLC COMMERCIAL GRA Memory Type: SD™ Memory Size: 256GB Packaging: Tray Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Part Status: Active Memory Type: SD™ Memory Size: 256GB Packaging: Tray Technology: MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: ROM SD 256GB MLC DIAMOND GRADE Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GME-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 256GB Packaging: Tray Technology: MLC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-N200 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Tray Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-XE00 | Flexxon Pte Ltd | Description: WORM SD 256GB MLC GOLD GRADE Part Status: Active Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 256GB Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-XR00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Packaging: Box Memory Size: 256GB Memory Type: SD™ Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Technology: MLC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS256GMG-XS00 | Flexxon Pte Ltd | Description: MEM CARD SD 256GB MLC Technology: MLC Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Memory Type: SD™ Memory Size: 256GB Packaging: Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/27A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 75 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi | MOSFETs LOW VOLTAGE | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 78W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONN | на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/27A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 75 V | на замовлення 6444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | onsemi / Fairchild | MOSFETs LOW VOLTAGE | на замовлення 6071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMS2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

