Продукція > ISL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL99227IRZ-T | RENESAS | Description: RENESAS - ISL99227IRZ-T - Power-Management-IC, Smart-Power-Stage-Modul, 2MHz, 4.5 bis 18Vin, QFN-32, -40 bis 85°C tariffCode: 85423990 IC-Typ: Smart-Power-Stage-Modul Bauform - DC/DC-Wandler-IC: QFN rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 60A Schaltfrequenz, max.: 2MHz IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 18V Eingangskapazität: - euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.5V Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangskapazität: - Betriebstemperatur, max.: 85°C PWM-Eingangsfrequenz: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99227IRZ-T7A | Renesas Electronics America Inc | Description: CNTRLR SPS MOD SMART PWR 32PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-PowerWFQFN Function: Controller Interface: PWM Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Supplier Device Package: 32-PQFN (5x5) Part Status: Active Current - Supply: 4.75 mA | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL99227IRZ-T7A | Renesas Electronics America Inc | Description: CNTRLR SPS MOD SMART PWR 32PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-PowerWFQFN Function: Controller Interface: PWM Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Supplier Device Package: 32-PQFN (5x5) Part Status: Active Current - Supply: 4.75 mA | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL99227IRZ-T7A | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC Smart Power Stage (SPS) Module with Integrated High-Accuracy | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360BFRZ-T | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC 5V Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Acc | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360BFRZ-T | Renesas Electronics America Inc | Description: 5V SMART POWER STAGE GEN2 (SPS) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL99360FRZ-T | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accura | на замовлення 4221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360FRZ-T | Renesas Electronics America Inc | Description: SMART POWER STAGE GEN2 (SPS) MOD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360FRZ-TR6071 | Renesas Electronics Corporation | Description: -40C SMART POWER STAGE GEN2 (SPS Features: Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-PowerWFQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Switch Type: General Purpose Output Configuration: High/Low Side Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 16V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.135V ~ 3.465V Current - Output (Max): 60A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 32-PQFN (5x5) Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360FRZ-TR6071 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC -40c Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360HRZ-T | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accura | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99360HRZ-T | Renesas Electronics America Inc | Description: SMART POWER STAGE GEN2 (SPS) MOD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380BFRZ-TR5935 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOD SMART POWER STAGE SPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380BFRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC 5V Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Acc | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380FRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC 80A Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Ac | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380FRZ-TR5935 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOD SMART POWER STAGE SPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380FRZ-TR6071 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC 80A SPS Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accuracy QFN 5x6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380FRZ-TR6071 | Renesas Electronics Corporation | Description: 80A SPS GEN2 (SPS) MODULE W/INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99380HRZ-TR5935 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOD SMART POWER STAGE SPS Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL99380HRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accura | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99390BFRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC 5V Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Acc | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99390FRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accura | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99390FRZ-TR6071 | Renesas / Intersil | Power Management Specialised - PMIC Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accura | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99390FRZ-TR6071 | Renesas Electronics Corporation | Description: SMART POWER STAGE GEN2 (SPS) MOD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99392BFRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialized - PMIC 5V Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Acc | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL99392FRZ-TR5935 | Renesas / Intersil | Power Management Specialized - PMIC Smart Power Stage Gen2 (SPS) Module w/Integrated High-Accura | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K1560G3 | ON Semiconductor / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 15A 600V | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K1560G3 | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 2 EL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K18120G3 | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 1200V 18A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K30120G3 | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K3060G3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9K3060G3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.4 V, 45 ns, 325 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 325A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.4V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STEALTH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 4892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K3060G3 | onsemi | Description: DIODE ARR AVAL 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Avalanche Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K3060G3 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 30A 45ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9K3060G3 | TE Connectivity | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| ISL9K3060G3 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 30A 45ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K3060G3 | onsemi / Fairchild | Small Signal Switching Diodes 30A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K3060G3 | ONS/FAI | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K3060G3 Код товару: 130525
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| ISL9K3060G3_Q | onsemi / Fairchild | Small Signal Switching Diodes 30A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K460 | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 3527 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K460P3 | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K460P3 | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PH Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9K460P3_NL | onsemi / Fairchild | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K460P3_Q | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 117 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K460P3_Q | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K8120P3 | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8a 1200V Stealth Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K8120P3 | ON Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K8120P3_NL | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1200V, 8A, STEALTH DUAL DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K8120P3_Q | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8a 1200V Stealth Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K860P3 | ONS/FAI | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K860P3 | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9K860P3_NL | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9N2357D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N2357D3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N2357D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 328 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AP3 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PWM Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AP3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 345W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AP3_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB,SINGLE,NCH,30V,0.0023 OHM LOGIC LEVEL DENSE TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AS3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 345W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N302AS3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N302AS3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 183 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AS3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 345W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AS3ST | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 345W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N302AS3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 345W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V | на замовлення 50762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N303AP3 | на замовлення 10100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9N303AP3 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N303AP3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N303AP3_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N303AS3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 15 V | на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N303AS3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N303AS3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 133 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N303AS3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N303AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 214 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N303AS3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 15 V | на замовлення 8377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AP3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N304AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 553 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N304AP3 | ON Semiconductor | ISL9N304AP3 | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AP3 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 145W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 15 V | на замовлення 10611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AP3 | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N304AP3 | ON Semiconductor | ISL9N304AP3 | на замовлення 9376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AS3ST | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 145W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 15 V | на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AS3ST | ON Semiconductor | ISL9N304AS3ST | на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AS3ST | ON Semiconductor | ISL9N304AS3ST | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N304AS3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N304AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 230 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N305DSK8 | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| ISL9N306AD3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N306AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 382 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N306AD3 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel Logic Level PWM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N306AD3 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V | на замовлення 8004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N306AD3ST | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N306AD3ST | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V | на замовлення 8371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N306AD3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N306AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 972 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N306AP3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N306AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 55600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 479 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N306AP3 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V | на замовлення 55600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N306AS3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N306AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 972 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N306AS3ST | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V | на замовлення 33931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N306AS3ST | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N307AD3ST | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N307AS3ST | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N308AD3 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N308AD3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N308AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 69975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1106 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N308AD3 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 69975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| ISL9N308AD3ST | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N308AD3ST | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N308AP3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9N308AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 446 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ISL9N308AP3 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 401 шт В кошику од. на суму грн. |

