Продукція > ISL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISL9N304AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STON SemiconductorISL9N304AS3ST
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STON SemiconductorISL9N304AS3ST
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 15 V
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N304AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N305DSK8Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel Logic Level PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AP3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 55600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AP3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AP3FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
на замовлення 33931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N307AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N307AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 69975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N308AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3onsemi / FairchildMOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3STonsemi / FairchildMOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3STFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AP3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AP3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N308AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N308AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N310AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AD3ST_NLONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N310AD3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N310AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 77154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N312AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 211233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 211233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N312AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 138810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 140093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3ST
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3STNLRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252AA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3ST_NLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3_NLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AS3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 42422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N312AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+74.26 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N315AD3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 16032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N315AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N315AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 1002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N315AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N315AD3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 71429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N315AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N315AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 71429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 1002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N318AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N318AD3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N318AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N318AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N322AP3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 35A, 10V
на замовлення 156653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N322AP3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N322AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 1527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N322AS3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N322AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N322AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N327AD3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N327AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N327AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N327AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N7030BL3STFAIRCHILSOT-263
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N7030BLS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N7030BLS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N7030BLS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N7030BLS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560FAIRCHILD
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2On SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 15A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2onsemiDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9R1560G2 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 15 A, Einfach, 2.2 V, 35 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Stealth Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+162.69 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2ON SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 15A 40ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.08 грн
10+181.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2
Код товару: 150935
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2ON SemiconductorВипрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 600, Io, А = 15, Uf (max), В = 2,2, If, A = 15, I, мкА @ Ur, В = 100 @ 60, trr, нс = 40, Тексп, °C = -55...+175,... Діоди Корпус: TO-247-2 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2-F085ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2-F085onsemi / FairchildRectifiers 15A, 600V Stealth Diode
на замовлення 450 шт:
термін постачання 777-786 дні (днів)
2+235.18 грн
10+208.00 грн
120+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2-F085onsemiDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560G2_Qonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 15A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 146220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.73 грн
500+85.25 грн
1000+78.62 грн
10000+67.60 грн
100000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2onsemiDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.73 грн
500+85.25 грн
1000+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 15A 600V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-F085onsemiDescription: DIODE AVALANCHE 600V 15A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
50+104.43 грн
100+94.33 грн
500+71.90 грн
1000+66.56 грн
2000+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-F085onsemiRectifiers 600V 15A Stealth Rectifier
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.30 грн
10+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-F085ONN
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-F085ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-F085onsemi / FairchildRectifiers 600V 15A Stealth Rectifier
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+84.95 грн
100+67.10 грн
500+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-F085ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2-XON SemiconductorRectifiers 600V, 15A, STEALTH DIODE
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2_F085ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.78 грн
10+187.67 грн
100+151.71 грн
500+124.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2_F085ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560P2_XON Semiconductor15A 600V Steal Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560PF2onsemiDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560PF2ON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 15A 600V Stealth
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560PF2onsemiDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Current - Average Rectified (Io): 15A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560PF2ON SemiconductorDiode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+113.43 грн
500+102.09 грн
1000+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560PF2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560S2Fairchild SemiconductorDescription: DIODE AVALANCHE 600V 15A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243  [ Наступна Сторінка >> ]