Продукція > ISL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISL9K30120G3Fairchild SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3onsemi / FairchildSmall Signal Switching Diodes 30A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3ON SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 30A 45ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3ONS/FAIDIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3TE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3
Код товару: 130525
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3onsemiDescription: DIODE ARR AVAL 600V 30A TO247-3
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Avalanche
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9K3060G3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.4 V, 45 ns, 325 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 325A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STEALTH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3ON SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 30A 45ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K3060G3_Qonsemi / FairchildSmall Signal Switching Diodes 30A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460FAIRCHILD04+
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460P3Fairchild SemiconductorDescription: RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460P3FAIRCHILD04+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460P3onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460P3_NLonsemi / FairchildRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460P3_QFairchild SemiconductorDescription: RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K460P3_Qonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K8120P3ON SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K8120P3onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 8a 1200V Stealth Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K8120P3_NLonsemi / FairchildRectifiers 1200V, 8A, STEALTH DUAL DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K8120P3_Qonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 8a 1200V Stealth Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K860P3Fairchild SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K860P3ONS/FAIDIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9K860P3_NL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N2357D3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N2357D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N2357D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+108.99 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AP3onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AP3onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PWM Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AP3_NLonsemi / FairchildMOSFET TO-220AB,SINGLE,NCH,30V,0.0023 OHM LOGIC LEVEL DENSE TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N302AS3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 50762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3STFAIRCHILDTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AP3onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AP3onsemi / FairchildMOSFET N-Ch UltraFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AP3
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AP3_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch UltraFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AS3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N303AS3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AS3FAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AS3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 15 V
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+211.09 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N303AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AS3STFAIRCHILDTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N303AS3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+132.27 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AP3ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AP3ON SemiconductorISL9N304AP3
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.28 грн
500+81.26 грн
1000+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AP3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N304AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AP3FAIRCHILD04+
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AP3ON SemiconductorISL9N304AP3
на замовлення 9376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.28 грн
500+81.26 грн
1000+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AP3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 15 V
на замовлення 10611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STON SemiconductorISL9N304AS3ST
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N304AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STON SemiconductorISL9N304AS3ST
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 15 V
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N304AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N305DSK8Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel Logic Level PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AD3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AP3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AP3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 55600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AP3FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N306AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STonsemi / FairchildMOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N306AS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
на замовлення 33931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N307AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N307AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N308AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3onsemi / FairchildMOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 69975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3STonsemi / FairchildMOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AD3STFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AP3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AP3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N308AP3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N308AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N308AS3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N310AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AD3STFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AD3ST_NLONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N310AD3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N310AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 77154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N310AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 211233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3ONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N312AD3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 211233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3ST
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N312AD3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 138810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 140093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3STNLRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252AA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3ST_NLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AD3_NLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AS3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 42422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AS3STFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N312AS3STONSEMIDescription: ONSEMI - ISL9N312AS3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244  [ Наступна Сторінка >> ]