Продукція > 2N3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3792 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | ON | 09+ | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N3792 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | Micro Crystal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3792 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | Cicor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-3 Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-3 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Power SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3792 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 10A 150W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3794 Код товару: 173156
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3795 | MOT | CAN | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3796 | MOT | CAN3 | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3797 | MOT | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3798 | MOT | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3798A | MOT | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799 | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799 | MOTOROLA | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3799 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Low Noise Ampl | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 360mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799A | MOTOROLA | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3799A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 90Vcbo 90Vceo 5.0Vebo 4.0pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799X | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3799X | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N379A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N380 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3800 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3804S-RTK/PS | KEC | SOT23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3806 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3806 | Central Semiconductor | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3806 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6 Supplier Device Package: TO-78-6 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 600mW Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3807 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP DUAL TO78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Active | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2N3807 | MOT | CAN | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3808 | MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3808 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP TO78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2N3809 | MOTOROLA | на замовлення 5250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3809 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-78-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3809A | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N380A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N381 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3810 | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2N3810 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810 | Central Semiconductor | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810 | MICROSEMI | TO78/PNP DUAL TRANSISTORS 2N3810 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810 | SOLID STATE | Description: SOLID STATE - 2N3810 - Bipolares Transistor-Array, PNP, -60 V, -50 mA, 600 mW, 150 hFE, TO-78 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 150 Verlustleistung Pd: 600 Bauform - Transistor: TO-78 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -60 Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: -50 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810A | MOTOROLA | на замовлення 6210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3810A | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-78-6 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 600mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810A/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810DCSM | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810DCSM | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin CLLCC-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810JANTX | WEC | Description: 2N3810JANTX | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810L | MICROSEMI | TO78/PNP SILICON DUAL TRANSISTORS 2N3810 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810L | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810U | MICROSEMI | (NONE)PNP DUAL TRANSISTORS кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810U | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810U | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin Case U Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810U | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA PNP Silicon Dual Transistor | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3810U/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3811 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3811 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP TO78-6 Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: TO-78-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3811 | MOTOROLA | на замовлення 5980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3811 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 5.0Vebo 50mA 500mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3811A | Solid State Inc. | Description: PNP SILICON DUAL TO-78 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2N3811A | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3811DCSM | MOTOROLA | на замовлення 3458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2N3811L | Microsemi | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2N3811L | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3811U | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3811U | MICROSEMI | PNP DUAL TRANSISTORS 2N3811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 | Central Semiconductor Corp | Description: RF MOSFET JFET 25V TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: TO-92-3 Voltage - Rated: 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N3819 | onsemi | JFETs 25V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 Код товару: 26518
Додати до обраних
Обраний товар
| FS | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 25 В Струм стоку Idd, А: 0,025 А Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8/ - Примітка: 450 mHz Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 25V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Current Rating (Amps): 100mA Mounting Type: Through Hole Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Voltage - Rated: 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 | NTE Electronics, Inc. | N-Channel RF Amplifier transistor | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 | Vishay / Siliconix | JFETs N-CH -25V 10mA BULK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 360 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 APM PBFREE | Central Semiconductor | JFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel | на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | JFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 360 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 PB FREE | Central Semiconductor | Trans RF FET N-CH 25V Si 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 PBFREE | Central Semiconductor | JFETs N-CH -25V 10mA BULK 25Vgs 360mW 8pF | на замовлення 7702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 TIN/LEAD | Central Semiconductor | JFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 360 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2N3819 TRE PBFREE | Central Semiconductor | JFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel | на замовлення 2179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

