Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1579FRAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579FRAT106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579FRAT106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 451 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 8437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 180 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 3022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 8437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106R/S | SOT23/SOT323 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106S | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 4808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT323 120V | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 3832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor for high-volt amp | на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor H. Volt Amplifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA158 | NEC | CAN | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1580-4-TB | SANYO | SOT23/SOT323 | на замовлення 14048 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1583 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SA1585S-Q-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1585S-Q-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1585S-R-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1585S-R-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1585STPQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 2A SPT Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SPT Frequency - Transition: 240MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-72 Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1585STPR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 2A SPT Supplier Device Package: SPT Frequency - Transition: 240MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-72 Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586 | Toshiba | PNP, Vceo = -50 V, Ic = -150 mA (max), hfe = 70~400,-55...125C, (Complementary to 2SC4116) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586 | TOSHIBA | SOT-323 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT323 50V PNP BIPOLAR TRAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR(T5L,F,T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT -150mA -50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR(T5LHITF | TOSHIBA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.1W; SOT323 Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 70...400 Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Collector current: 0.15A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.1W | на замовлення 51475 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F USM PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),DISCON-->2010-01-15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 4393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V | на замовлення 105697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(B | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 66 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOD-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 42450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOD-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 42450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) | на замовлення 6937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR/SG | TOS | на замовлення 126000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1586-GRLF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-GR\SG | TOSHIBA | SOT-323 | на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y | TOSHIBA | SOT323 | на замовлення 888000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT323 50V PNP BIPOLAR TRAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y(T5LCANOF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y(T5LND,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 11154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT VCEO - 50V to -150mA HFE 70-400 1dB 10dB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85R,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 6801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V | на замовлення 6585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(B | Toshiba | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) | на замовлення 746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 736 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R | на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1073 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LXGF(T | Toshiba | Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

