Продукція > 2SD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 35 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SD1803S-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-H.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-E.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1006347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
10000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
10000+39.89 грн
100000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 668500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
10000+39.89 грн
100000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803STLN/ASANYO03+ TO-252
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803T-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-E.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803T-H - 2SD1803T-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-EON Semiconductor
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.34 грн
10+67.90 грн
100+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+46.58 грн
1400+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+35.54 грн
1400+31.38 грн
2100+29.93 грн
3500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+46.58 грн
1400+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804LUTC05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804QTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804SSANYO
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1804S-E - 2SD1804 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 8A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1002 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-EON Semiconductor2SD1804S-E
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-EonsemiDescription: BIP NPN 8A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TLSANYO
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TL-EON Semiconductor2SD1804S-TL-E
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TL-EON Semiconductor2SD1804S-TL-E
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TL-EonsemiDescription: BIP NPN 8A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 37800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TL-EON Semiconductor2SD1804S-TL-E
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
10000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1804S-TL-E - 2SD1804 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 8A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804S-TL-ESANYOSOT252/2.5
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804STL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-EonsemiDescription: BIP NPN 8A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1804T-E - 2SD1804 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 8A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-EON Semiconductor2SD1804T-E
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-EON Semiconductor2SD1804T-E
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-TLSANYO07+
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-TL-EON Semiconductor2SD1804T-TL-E
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.15 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-TL-ESANYOSOT-252
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-TL-EonsemiDescription: 8A, NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1804T-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1804TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805onsemi BIP NPN 5A 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 35327
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
Гранична частота fT: 120 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 20 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 560
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805FSANYO
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1805F-E - 2SD1805F-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
на замовлення 65500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.07 грн
10+72.97 грн
100+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+72.05 грн
545+64.83 грн
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+72.05 грн
545+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-E (DPak) /ON Semiconductor
Код товару: 113883
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 24598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+36.78 грн
1041+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
10000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1805G-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 73160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 993 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-TL-E-SYSanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 35 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]