Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT30DL60HJ | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 600V SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100BCTG | Microsemi Corporation | Description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 295 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100BG | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 295 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ100BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1000 V 30 A TO-247 | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100BG | Microchip Technology | Diode Switching 1KV 30A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 330 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100BGVAO | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1000 V 30 A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 222 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100KG | Microchip Technology | Diode Switching 1KV 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 470 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100KG | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 1000V 30A TO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 295 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ100KG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1000 V 30 A TO-220 | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ100KGVAO | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1000 V 30 A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 325 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BCTG | Microchip Technology | Diode Switching 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 110 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BCTG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 320 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ120BCTG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1200 V 30 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BG | Microchip Technology | Diode Switching 1.2KV 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ120BG | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1200 V 30 A TO-247 | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BG | Microchip Technology | Diode Switching 1.2KV 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 310 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BG | Microchip Technology | Description: DIODE STD 1200V 30A TO247 [B] Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 320 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ120BG | Microchip | DIODE GP 1.2KV 30A TO247 Транзистори | на замовлення 80 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ120BGVAO | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1200 V 30 A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 222 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120BGVAO | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 320 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120KG | Microchip Technology | Description: DIODE STD 1200V 30A TO220 [K] Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 320 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220 [K] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ120KG | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes FRED DQ 1200 V 30 A TO-220 | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120KG | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 1.2KV 30A 320ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ120KGVAO | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1200 V 30 A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 266 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BCTG | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 30A 30ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BCTG | MICROSEMI | TO247/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT30DQ60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BCTG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BCTG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG Код товару: 98111
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| APT30DQ60BG | MICROSEMI | TO-247/30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT30DQ60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Description: DIODE STD 600V 30A TO247 [B] Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 370 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip | Diode Switching 600V 30A Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BG | Microchip Technology | Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BGVAO | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 30 A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 269 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BGVAO | Microchip Technology | APT30DQ60BGVAO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 269 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BGVAO | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BHBG | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 30A 30ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BHBG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60BHBG | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes FRED DQ 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60BHBG | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 30A 30ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60KG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 600 V 30 A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60KG | MICROSEMI | TO220-2/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT30 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60KG | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 30A 30ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 560 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DQ60KG | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30DQ60KGVAO | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DS20HJ | Microsemi Corporation | Description: BRIDGE RECT 1P 200V 45A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Schottky Supplier Device Package: SOT-227 Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 45 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DS30B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30DS60B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30DS60BG | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 20A 24ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DS60BG | Microchip Technology | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 24 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DS60BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED DS 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30DS60H | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30DS60S | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30F50B | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30F50B | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 415W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4525 pF @ 25 V | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30F50B | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 30 A TO-247 | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30F50S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 415W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4525 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30F50S | Microchip Technology | MOSFET FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-268 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30F60J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 355W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30F60J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 600 V 30 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30F60J | Microsemi | Trans MOSFET N-CH Si 600V 31A 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30GF60JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 600V 58A 192W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 58 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 192 W Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.85 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GF60JU2 | MICROSEMI | SOT227/POWER MODULE IGBT APT30GF60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GF60JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 600V 58A 192W ISOTOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 58 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 192 W Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.85 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GF60JU3 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30GN60BDQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GN60BDQ2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30GN60BDQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 203 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GN60BDQ2G | MICROSEMI | TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR FIELDSTOP LOW FREQ COMBI APT30GN60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GN60BDQ2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30GN60BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GN60BG | Microchip Technology | Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 203 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30GP60B2DLG | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60B2DLG | Microsemi Corporation | Description: IGBT 600V 100A 463W TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: T-MAX™ IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 463 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60B2DLG | MICROSEMI | T-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT30GP60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BDF1 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30GP60BDF1 Код товару: 125875
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| APT30GP60BDQ1G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BDQ1G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 463 W | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| APT30GP60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BDQ1G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BDQ1G | MICROSEMI | TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT30GP60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BDQ1G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 30 A TO-247 | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 30 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BG | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BG | Microchip Technology | Description: IGBT PT 600V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 463 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60BSC | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30GP60JDF1 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT30GP60JDQ1 | Microchip / Microsemi | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60JDQ1 | Microsemi Corporation | Description: IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 245 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| APT30GP60LDLG | Microchip / Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. |