Продукція > 2N6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.54 грн
25+1475.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 CAN3 транзистор
Код товару: 73818
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661-2Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661-R1Semelab / TT ElectronicsMOSFET 4 Ohm 90Volts
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N66615SILICONI
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JAN02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JANTXSILICONI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTVP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTX02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTXL02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTXP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTXV02VishayTrans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTXV02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661JTXV02VishayTrans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78734.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661N2SILICONI
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6662MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6665VISHAYCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6666NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 40V 8A TO220
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6666 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Pwr Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 60V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667onsemiDarlington Transistors 10A 60V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667onsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 60V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.01 грн
10+289.70 грн
25+265.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 60V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 10A 65W 60Vcbo 60Vceo 5.0A 20MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667GonsemiDarlington Transistors 10A 60V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667G
Код товару: 94597
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6667GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668onsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668onsemiDarlington Transistors 10A 80V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 80V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6668 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.84 грн
10+195.71 грн
100+152.22 грн
500+106.20 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Sleeve
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 10A 80V TH TRANSISTOR-BIPOLAR PO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Pwr Darlington
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.46 грн
10+192.92 грн
25+158.09 грн
100+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220-3
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 20MHz
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 10A 65W 80Vcbo 80Vceo 5.0A 20MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N666AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6671Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6671Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 300V 8A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 8A, 300V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6671PHIL01+ TO-3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6672Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6672MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6672Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6673Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6673Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6673Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6673MOT01+ TO-3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6674Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6674MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6674Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6675Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6675MOT\ST\RCA01+ TO-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6675Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6675Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6676Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6676Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6676MOT\RCA01+ TO-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6676T1Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6677Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 15A TO204AA
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 15A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6677MOT01+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6677Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10574.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6678 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 15 A, 175 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1845.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8629.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 3 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678MOT01+ TO-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10574.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678CicorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678M3A-JQRSSemelab (TT electronics)NPN Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678M3A-JQRSTT ElectronicsTT Electronics BIPOLAR POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678T1Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678T1Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(3+Tab) TO-254
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6678T1Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6679HARRIS
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6679 транзистор
Код товару: 79242
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N667AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N668MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6681MOTCAN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6682MOTCAN
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6683MOTCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6684MOTCAN
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6685MOTCAN
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6686MOT01+ TO-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6686Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 180V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6686Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BACK OF CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6687MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6688MOT01+ TO-3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N668AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N669MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30  [ Наступна Сторінка >> ]