Продукція > DMC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC2053UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T and R 3K | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 820mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Part Status: Active Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 820mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 820mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | на замовлення 40651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.6A/3.2A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET 6-Pin TSOT-26 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET 6-Pin TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET 6-Pin TSOT-26 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET 6-Pin TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 8V~24V TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.6A/3.2A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K | на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.6A/3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2053UVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.6A/3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2057UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2057UVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2057UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2057UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2057UVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2057UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 8244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2057UVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2057UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A TSOT26 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2058UNS-13 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain (Complementary) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 3.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 10V, 476pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2058UNS-7 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain (Complementary) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 3.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 10V, 476pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC205C00R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC205C00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 100V 0.02A MINI6 Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: Mini6-G4-B Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Power - Max: 300mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC205C00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 100V 0.02A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC206010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC206010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC206352 | TE Connectivity | OBTURATEUR ALVEOLES M ET F OPTIQUE AWG12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC206E20R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 20V 15MA MINI6-G4-B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 15mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC206E20R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC21D1UDA-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC21D1UDA-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2300-10NA1 | DMC Tools | LaceLok Starter Kit with 100 CLF - NA1 (White) 10" | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV | Diodes Incorporated | Description: DIODE Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V, 970mOhm @ 100mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V, 46.1pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta), 700mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 450mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF | на замовлення 98689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 4252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 7185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2400UV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.48 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.97ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.48ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 7185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2400UV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.48 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.97ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.48ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes | MOSFET NP-CH 20V SOT563 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 700 mA, 0.48 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.97ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.48ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 63745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.8/-0.55A Power dissipation: 0.45W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5/1Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 2919 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | DIODES/ZETEX | N/P-MOSFET 20V 480mΩ 450mW DMC2400UV-7 Diodes TDMC2400uv кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 700 mA, 0.48 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.97ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.48ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N P Ch 20VDSS 0.45W Low RDSon | на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UVQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2400UVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2400UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2450UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2450UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 12Vgss 0.45W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2450UV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT563 Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 1W On-state resistance: 1/0.5Ω Drain current: 1.3/-0.7A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD | на замовлення 2904 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 12Vgss 0.45W | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2450UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.48 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.97ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.48ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 924000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2450UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.03A/0.74A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

