Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPAW60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| IPAW60R380CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| IPAW60R380CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPAW60R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 21 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW70R600CE | Infineon / IR | Infineon CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW70R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW70R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IPAW70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

