Продукція > GCM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GCMX080A120B2H1P | SemiQ | Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| GCMX080A120B2H1P | SemiQ | MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| GCMX080A120B2H2P | SemiQ | MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| GCMX080A120B2H2P | SemiQ | Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| GCMX080A120B2T1P | SemiQ | MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| GCMX080A120B2T1P | SemiQ | Description: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 103W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| GCMX080B120S1-E1 | SemiQ | MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| GCMX080B120S1-E1 | SemiQ | Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| GCMX080C120S1-E1 | SemiQ | MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| GCMX080C120S1-E1 | SemiQ | Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 1000 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| GCMX2P3B120S3B1-N | SemiQ | Description: GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1705W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 608A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 300A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1566nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| GCMX2P3B120S7B1 | SemiQ | Description: GEN3 1200V 2.3M SIC MOSFET HALF | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|