Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTC123JS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT | NXP | Tranzystor NPN; 100; 250mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC123JT,215; PDTC123JT,235; PDTC123JT.215; PDTC123JT,215 NEXPERIA TPDTC123jt кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 8580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT | Nexperia | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT SOT23-P25(PDTA | PHILIPS | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTC123JT T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTC123JT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 315 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 456000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k Код товару: 134236
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 230 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A h21: 100 Монтаж: SMD | у наявності: 720 шт
|
| ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT,235 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.047 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RE T | на замовлення 639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3470 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 17231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series Widerstandsverhältnis R1/R2: 21 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series Widerstandsverhältnis R1/R2: 21 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT-QVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JT-QVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JT-QVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU | NXP | 09+ SOT-323 | на замовлення 1308000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU | NXP USA Inc. | Description: PDTC123J SERIES - NPN RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 13418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 170 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | NXP | NPN 100mA 50V 200mW PDTC123JU,115 NXP TPDTC123ju кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN RET | на замовлення 22031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 369000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 975000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2940 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 6401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123JU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123JU/ZLX | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Resistors Included: R1 Only Qualification: AEC-Q100 Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-883 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 116800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A NPN R ET | на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123TM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTC123TM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTC123TM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9988 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883B 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 79988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 835000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC123TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 695 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 695 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTC123TT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TT,235 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTC123TT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TT-QR | Nexperia | PDTC123TT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TU | PHILIPS | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC123TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 46465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC123TU,115 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 8205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

