Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ 32 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 216 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+133.94 грн
10+119.28 грн
25+97.85 грн
100+83.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N20
на замовлення 48500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.54 грн
10+378.53 грн
50+301.51 грн
100+259.69 грн
500+218.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V MDMesh
на замовлення 358 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+527.40 грн
10+281.31 грн
100+224.40 грн
500+210.05 грн
1000+206.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE03LSTTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE03LFPSTTO220/3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06STTO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06
Код товару: 77947
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1450/35
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06FP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06LSTM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NE06LFP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.77 грн
10+94.52 грн
100+56.69 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.33 грн
10+96.61 грн
100+88.90 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.61 грн
161+88.90 грн
500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMMOSFET N-CH 100V 35A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10
Код товару: 73219
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/40
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.01 грн
10+141.06 грн
100+118.84 грн
500+94.09 грн
1000+79.62 грн
2000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STN-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.21 грн
10+124.46 грн
50+95.04 грн
100+80.31 грн
500+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.68 грн
101+141.38 грн
120+119.11 грн
500+94.31 грн
1000+79.81 грн
2000+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.38 грн
7+66.17 грн
24+40.53 грн
65+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF10FPSTTO-220FP
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.24 грн
10+168.31 грн
50+129.75 грн
100+110.11 грн
500+89.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.04 грн
5+148.05 грн
10+133.99 грн
12+83.54 грн
32+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.13 грн
10+131.48 грн
100+90.47 грн
500+86.38 грн
1000+79.17 грн
2000+74.65 грн
5000+71.46 грн
10000+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+184.93 грн
10+87.77 грн
100+71.10 грн
500+62.82 грн
1000+53.49 грн
2000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.36 грн
110+130.89 грн
159+90.07 грн
500+85.99 грн
1000+78.82 грн
2000+74.32 грн
5000+71.14 грн
10000+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.65 грн
10+148.75 грн
100+93.72 грн
500+89.47 грн
1000+82.02 грн
2000+77.04 грн
5000+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 300V Mdmesh 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMN-CH 300V 30A 0.09Ohm TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM30NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+442.74 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60N
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LFPST
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP30NS15LFPSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3100BGA-100(100-4557-02)SUNBGA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+304.38 грн
10+270.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+255.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.73 грн
10+235.53 грн
50+184.43 грн
100+157.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+259.18 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+190.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+356.93 грн
10+183.04 грн
100+145.47 грн
500+136.33 грн
1000+122.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+190.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP310N10F7 STMSTTrans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 TSTP310N10F7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+311.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+333.13 грн
5+196.85 грн
14+186.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.83 грн
10+248.48 грн
50+194.53 грн
100+166.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP315N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 88A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 22A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.17 грн
10+212.00 грн
50+165.49 грн
100+141.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.13 грн
10+408.94 грн
25+221.02 грн
100+201.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.64 грн
50+377.67 грн
100+211.19 грн
200+193.56 грн
500+168.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+320.40 грн
10+168.04 грн
100+127.20 грн
500+110.24 грн
1000+105.68 грн
2000+98.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.80 грн
36+403.77 грн
66+218.22 грн
100+198.72 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP326405AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP326405BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N06LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N55M5STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.60 грн
50+351.30 грн
100+334.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+624.05 грн
10+338.33 грн
100+279.19 грн
500+243.32 грн
1000+238.75 грн
2000+230.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N10
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N10FI
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.27 грн
10+225.85 грн
50+176.56 грн
100+150.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 96A
Gate charge: 43nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.21 грн
6+172.04 грн
16+162.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 684 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+340.95 грн
10+174.79 грн
100+138.29 грн
500+135.68 грн
1000+114.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.95 грн
10+212.45 грн
50+165.61 грн
100+141.29 грн
500+116.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.