Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC817-40LT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 45469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 76132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G | ON SEMICONDUCTOR | NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23 | на замовлення 119 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 939000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 720000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G-01 | ON-Semiconductor | Tranzystor NPN; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC817-40LT3; BC817-40LT3G; BC817-40LT1G TBC81740 ONS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT1G-01 | ON-Semiconductor | Tranzystor NPN; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC817-40LT3; BC817-40LT3G; BC817-40LT1G TBC81740 ONS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 30000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC817-40LT3 - BC817-40LT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 860000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 49665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | BC817-40LT3G Микросхемы | на замовлення 1068 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=250...600, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN | на замовлення 24391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | BC817-40LT3G Микросхемы | на замовлення 102 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 9950 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 49665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G Код товару: 63287
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC817-40LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40LTG | On Semiconductor | NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=250...600, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q | Yangjie Electronic Technology | NPN General Purpose Amplifier | на замовлення 498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40Q | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.3W 0.5A 50V Transis Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40Q | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q | YY | Transistor: NPN BC817-40Q YANGJIE TECHNOLOGY TBC81740Q YY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC817-40Q-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 119995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-13-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC817-40Q-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 310mW Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | Diodes | TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | на замовлення 33084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Manufacturer standard package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QA147 | NXP | Description: NXP - BC817-40QA147 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12077 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; DFN1010D-3,SOT1215 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Case: DFN1010D-3; SOT1215 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | NXP | NPN 45V 0.5A DFN1010D-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 900mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QB-QZ | Nexperia | BC817-40QB-QZ | на замовлення 44900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40QB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBH-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QBH-Q/SOT8015/DFN1110D | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBH-QZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 550mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 550mW euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40QBH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QC-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QC-Q/SOT8009/DFN1412D- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 380 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: DFN1412D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 575mW euEccn: NLR Verlustleistung: 575mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 455 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 455 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 575mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCH-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QCH-Q/SOT8009/DFN1412D | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCH-QZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 575mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40QCZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC817-40QCZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC817-40QC/SOT8009/DFN1412D-3 | на замовлення 35931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40QCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 800mA, NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817-40R13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40R13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817-40R13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40W | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 45V 200MW 250@100MA,1V 500MA NPN | на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC817-40W | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC817-40W Код товару: 193306
Додати до обраних
Обраний товар
| Diotec | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-323 Гранична частота fT: 100 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В Струм колектора Ic, А: 0,5 А Коефіцієнт передачі струму h21: 600 Монтаж: SMD | на замовлення: 191 шт
|
|

