Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP33N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMN-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 104A
Gate charge: 45.5nC
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.40 грн
6+175.35 грн
15+165.42 грн
100+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+172.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.96 грн
10+235.30 грн
50+184.21 грн
100+157.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 465 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+354.64 грн
10+182.29 грн
100+144.16 грн
500+120.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 78A
Gate charge: 33.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.87 грн
10+233.29 грн
50+182.62 грн
100+156.06 грн
500+129.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+352.36 грн
10+180.79 грн
100+142.86 грн
500+125.90 грн
1000+119.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.45 грн
10+218.41 грн
50+170.24 грн
100+145.22 грн
500+119.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 210 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+320.40 грн
10+163.54 грн
100+129.16 грн
500+106.33 грн
1000+105.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP340S
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3481
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N20STTO3P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+390.22 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 17.7A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Gate charge: 62.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+390.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+442.16 грн
10+231.80 грн
100+183.95 грн
1000+170.91 грн
2000+162.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+722.38 грн
10+470.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+499.21 грн
38+383.60 грн
100+353.34 грн
500+317.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+208.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.50 грн
50+383.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
на замовлення 831 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+748.10 грн
10+412.59 грн
100+354.86 грн
500+319.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.53 грн
10+497.16 грн
25+382.02 грн
100+351.89 грн
500+316.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 29A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80.4nC
Pulsed drain current: 116A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.90 грн
50+455.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
на замовлення 662 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+630.90 грн
10+441.85 грн
100+356.82 грн
1000+356.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP350F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500AEssentra Access SolutionsDescription: STP354500A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP354500BEssentra Access SolutionsDescription: STP354500B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 210W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 17A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.92 грн
10+239.17 грн
50+186.92 грн
100+159.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+426.94 грн
100+328.57 грн
500+246.58 грн
1000+180.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Gate charge: 41nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 56.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5STMMOSFET N-CH 650V 27A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N65M5(транзистор)
Код товару: 60497
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+232.86 грн
67+215.87 грн
74+193.13 грн
80+172.49 грн
100+148.94 грн
500+134.48 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10
Код товару: 114734
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1550/55
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.86 грн
10+215.87 грн
25+193.13 грн
50+172.49 грн
100+148.94 грн
500+134.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP35NF10FI
на замовлення 17439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.42 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP360N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N05L
на замовлення 18949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N05LFI
на замовлення 18749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N06STMicroelectronicsMOSFETs TO-220 N-CH 60V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 33A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh M5 FET
на замовлення 798 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+337.43 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+491.38 грн
31+470.27 грн
50+452.35 грн
100+421.39 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+661.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 457 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+449.77 грн
10+236.30 грн
500+166.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 208W
Gate charge: 44.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M6
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NE06FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF03L
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06STMN-channel 60V - 0.032. - 30A - TO-220/TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 60V-0.032ohms 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMN-channel 60V - 0.032. - 30A - TO-220 - D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.43 грн
10+113.30 грн
50+86.28 грн
100+72.76 грн
500+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+263.05 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 21A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.91 грн
5+102.81 грн
10+89.82 грн
21+45.49 грн
58+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.