Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.70 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+654.62 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 208W
Gate charge: 44.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M6
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NE06FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF03L
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06STMN-channel 60V - 0.032. - 30A - TO-220/TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 60V-0.032ohms 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.16 грн
176+80.34 грн
195+72.65 грн
500+55.63 грн
1000+47.07 грн
2000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP36NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.58 грн
50+76.81 грн
100+70.10 грн
500+54.61 грн
1000+46.48 грн
2000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.60 грн
50+80.79 грн
100+73.04 грн
500+55.94 грн
1000+47.33 грн
2000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMN-channel 60V - 0.032. - 30A - TO-220 - D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.67 грн
198+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 21A; 70W
Mounting: THT
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±18V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 50mΩ
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+113.04 грн
10+68.23 грн
25+60.61 грн
50+55.53 грн
100+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.58 грн
184+76.81 грн
202+70.10 грн
500+54.61 грн
1000+46.48 грн
2000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+79.67 грн
100+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
50+87.93 грн
100+79.03 грн
500+59.52 грн
1000+54.81 грн
2000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP36NF06L
Код товару: 123243
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 660/13
Монтаж: THT
у наявності: 126 шт
  • 93 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.50 грн
10+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP37100150STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: electrically conductive; L: 150m; W: 0.1m; Thk: 0.08mm; black
Type of tape: electrically conductive
Length: 150m
Width: 0.1m
Thickness: 80µm
Colour: black
Tape features: easy removal; glueless, leaves no residue; good electrical conductivity; smooth; under ESD floor mats
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7147.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3788AD0A
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.47 грн
10+284.71 грн
50+224.51 грн
100+192.50 грн
500+160.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3HNK90ZSTMN-кан., 900V, 3.5 Ом, 3 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3HNK90Z
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3HNK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3HNK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3LN62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.32 грн
10+92.41 грн
50+69.79 грн
100+58.64 грн
500+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3LN62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
50+63.90 грн
100+59.13 грн
500+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N100
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N100FIST09+ TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Technology: PowerMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.29 грн
10+249.72 грн
50+248.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.20 грн
10+255.13 грн
100+244.40 грн
500+200.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150
Код товару: 51754
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.45 грн
56+253.98 грн
100+243.29 грн
500+199.71 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STTransistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 140W; -50°C ~ 150°C; STP3N150 TSTP3N150
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+254.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.18 грн
50+219.10 грн
100+200.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+432.77 грн
58+245.55 грн
100+237.08 грн
200+215.91 грн
500+196.59 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsMOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+467.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N150STMMFET N-CH U=1500В I= 2.5 A R= 6 Om P=140W TO-220 задержка 24 нсек Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N50E
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N50EonsemiDescription: NFET T0220 SPCL 500V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N50EON SemiconductorSTP3N50E
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.64 грн
500+73.38 грн
1000+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N50EONSEMIDescription: ONSEMI - STP3N50E - NFET T0220 SPCL 500V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N60
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N60FI
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
50+72.61 грн
100+68.78 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3N85
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA100STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA100ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA50
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA50F1STISOWATT-220
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA50FISTTO220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 2.9 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA60
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA60F1
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA60FI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA80STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NA90
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB100STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB100STMN-ChL 1000V - 5.3 Om - 3 A - TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB100STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 Volt 3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB100FPST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB60
Код товару: 23835
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 3,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 400/15
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+30.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB60STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB60FPSTMN-кан. MOSFET 600V, 2.2A, 3.6Ом, 35Вт, TO-220FP (PowerMesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB60FPSTTO-220FP
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB60FP
Код товару: 37614
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB60ZFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB80
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB80FP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB90
на замовлення 7943 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB90FPSTMN-Ch900V3,5A110W4,2RTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NB90FP
Код товару: 149301
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]