Продукція > MMU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMUN2111LT1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1 | ON | 07+; | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2111LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 44150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ON-Semiconductor | PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 | на замовлення 28859 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G Код товару: 49208
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 44150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 118564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 34387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2111LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 70000 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2111R | LRC | 07+ SOT-23 | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111RLT1/A6A | LRC | 02+ SOT-23 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111T1 | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2111T1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2112LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1 | на замовлення 639000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 82517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 52148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 52148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 59437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 20981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1 | ON Semicondu | 2000 | на замовлення 1415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G Код товару: 66812
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 44913 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 | на замовлення 769690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 627000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2113LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 714500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | On Semiconductor | Цифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD) Транзистори | на замовлення 425 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 49190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 118099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | на замовлення 5867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ON | 2005 TO223 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2114LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 404 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 14251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G Код товару: 152085
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Resistors Included: R1 and R2 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V SOT23 | на замовлення 18439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 127531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LTU1G | на замовлення 104595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2114RLT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT23 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1 | на замовлення 6220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

