Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+111.94 грн
154+91.76 грн
167+84.22 грн
500+69.82 грн
1000+60.47 грн
2000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.04 грн
50+83.36 грн
100+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STP3NK60ZFP TSTP3NK60zfp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.16 грн
50+91.94 грн
100+84.38 грн
500+69.96 грн
1000+60.58 грн
2000+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK60ZFP - MOSFET, N-KANAL, TO-220FP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.14 грн
2000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.40 грн
10+99.65 грн
25+85.65 грн
50+76.59 грн
100+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK60ZP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMN-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80Z
Код товару: 53546
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 2,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 485/19
товару немає в наявності
1+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.65 грн
5+99.65 грн
10+88.95 грн
25+77.42 грн
50+70.00 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB (Аналог BUZ80A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.43 грн
50+86.04 грн
100+77.34 грн
500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.83 грн
11+69.82 грн
100+64.67 грн
500+56.92 грн
1000+47.16 грн
5000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+69.69 грн
218+64.55 грн
500+58.91 грн
1000+50.84 грн
5000+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK80ZFPST10+ QFP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMN-Channel 900V 3A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+190.69 грн
5+136.71 грн
10+118.60 грн
25+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.15 грн
50+60.53 грн
100+60.51 грн
500+55.51 грн
1000+50.89 грн
2000+47.13 грн
5000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
50+94.00 грн
100+84.67 грн
500+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.07 грн
2000+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90Z TSTP3NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.32 грн
232+60.67 грн
500+55.63 грн
1000+50.99 грн
2000+47.21 грн
5000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90Z
Код товару: 185207
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+65.63 грн
217+64.97 грн
219+64.34 грн
500+50.35 грн
1000+45.38 грн
2000+38.56 грн
5000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4,8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 32352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.49 грн
181+77.89 грн
500+66.19 грн
1000+56.37 грн
2000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFP
Код товару: 114735
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 590/22,7
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 169 шт
  • 105 шт - склад
  • 37 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+22.90 грн
100+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90ZFP TSTP3NK90ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.11 грн
6+71.98 грн
10+62.10 грн
50+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 32364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.98 грн
10+89.02 грн
100+78.37 грн
500+64.21 грн
1000+52.51 грн
2000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMN-Channel 900V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.78 грн
50+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP3NK90ZFP(3N90)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4-2-ZBPhoenix ContactUnspecified Connectors STP4-2-ZB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4000QFF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4000QFP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4000QPBQFP132
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP400N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 377 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP400N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP400N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40102660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 102mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2568.55 грн
5+2246.72 грн
10+2108.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40152660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 152mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3221.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP4020QFP
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40254660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 254mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5172.59 грн
5+4519.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40406660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 406mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7805.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP4045CP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4093PGA
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40FP10
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40L15CW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40L40CT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N03L
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N03L-20
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N05
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N05FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N06
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N06FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10L
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2
Код товару: 171525
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.90 грн
50+227.01 грн
100+207.54 грн
500+162.78 грн
1000+152.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 128A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L MOS-N-FET 30V 40A 80W
Код товару: 74164
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1850/29
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+24.00 грн
10+22.00 грн
100+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L-20
на замовлення 721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF02L
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LST09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 28A; Idm: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMMOSFET 30V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.23 грн
50+52.83 грн
100+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 40 Amp
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]