Продукція > 2SD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1040A | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1041 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1042 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1043 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1044 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1044A | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1045 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1046 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1047 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 20MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1047 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 140V 12A TO-3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1047 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1047 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1047 | EVVO | Description: 140V/12A, AF 60W OUTPUT APPLICAT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.5A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PN Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 120 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1047 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1047 Код товару: 82305
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Напруга колектор-емітер Uceo, В: 140 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 160 В Струм колектора Ic, А: 12 А | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1047C Код товару: 150669
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1047E | SANYO | 09+ | на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1047P-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1047P-E - 2SD1047P-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1047P-E | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 12A TO-3PB Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 120 W | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1047P-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 12A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048 | onsemi | BIP NPN 0.7A 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048 | ROHM | 09+ | на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: 3-CP Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V | на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 10012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: 3-CP Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V | на замовлення 3932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1048-7-TB-E - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | ON Semiconductor | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: 3-CP Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1048-7-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1049 | FUJI | MODULE | на замовлення 863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD105 | TO-39 | на замовлення 698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1050 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1051 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1052 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1052A | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1053 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1053-E1-AZ | NEC | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1054 | TOS | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1055 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1056 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1059 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD106 Код товару: 45535
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1060 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1060L | UTC | 05+ TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060R-1E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1060R-1E - BIPOLAR TRANSISTOR SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060R-1E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3 Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060R-1E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060R-1EX | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3 Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060R-1EX | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060S-1E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060S-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1060S-1E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3 Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 4892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1060S-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060S-1EX | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060S-1EX | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1060S-JKH-1E | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 5A 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1061 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1061R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1061R - 2SD1061R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 629 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1061R | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1061S | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1061S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1061S - 2SD1061S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 629 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1061S | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1062 | SANYO | 09+ | на замовлення 3818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1062R | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 12A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 16403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1062R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1062R - 2SD1062 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 479 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1062R | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 12A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 16403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1063 | TOSHIBA | 01+ TO3P | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1063R | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1064 | SAY | 2002 TO-3P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1065 Код товару: 184735
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3PN Гранична частота fT: 20 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В Струм колектора Ic, А: 15 А Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||
| 2SD1065 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1065A | 2000 SMD | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1065R | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 15A TO-3PB Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-3PB Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 90 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1065R | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1065R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1065R - 2SD1065R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 261 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1065R | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1066 | FUJI | MODULE | на замовлення 435 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1067 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1068 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1069 Код товару: 184960
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 Напруга колектор-емітер Uceo, В: 150 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В Струм колектора Ic, А: 7 А Монтаж: THT | у наявності: 4 шт
|
| |||||||||||||
| 2SD1069 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD106A | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD106A1-17 | INFINEON | MODULE | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD106AI | Power Integrations | Gate Drivers Dual-Ch SCALE -1 IGBT Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD106AI | CONCEPT | 08+ SMD | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD106AI Код товару: 130349
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD106AI-17 | INFINEON | MODULE | на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD106AI-17 Код товару: 43897
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD106AI-17 | Power Integrations | Power Management Modules Dual-Ch SCALE -1 IGBT Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD106AI-17 UC | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 15V Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD106AI-17 UL | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Not For New Designs Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns Supplier Device Package: Module Voltage - Supply: 15V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

