Продукція > FDG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDG6318P/.38 | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6318PZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6318PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Dual PCh Digital | на замовлення 79730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6318PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6318PZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6318PZ-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6320C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C | FAIRCHLD | SOT-363 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 220 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6320C-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6320C_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6321C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 14740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6321C | On Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6321C | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6321C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 14600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6321C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6321C 21. | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6321C TFDG6321C кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6321C-F169 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6 Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 62pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 410mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6321C_NL | Fairchild | на замовлення 1270000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6321C_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6322 | FAIRCHILD | 00+ | на замовлення 12010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 11997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6322C | onsemi / Fairchild | MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH | на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDG6322C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 11997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6322C/22 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 227418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6322C_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6322C_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6323 | fairchild | 04+ SOT363 | на замовлення 66100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6323L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 600mA Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V Voltage - Load: 2.5V ~ 8V Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 410mOhm Output Configuration: High Side Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Switch Type: General Purpose Interface: On/Off Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: P-Channel Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6323L | FSC | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6323L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 410mOhm Output Configuration: High Side Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Switch Type: General Purpose Interface: On/Off Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: P-Channel Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 600mA Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V Voltage - Load: 2.5V ~ 8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6323L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V | на замовлення 8011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6323L-F169 | ON Semiconductor | Description: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6323L_D87Z | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 410mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 2.5V ~ 8V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6324L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 600mA Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Voltage - Load: 3V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 370mOhm Output Configuration: High Side Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Switch Type: General Purpose Interface: On/Off Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: P-Channel Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6324L | onsemi | Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6324L | FAI | 05+ | на замовлення 6609 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6324L | onsemi | Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL Features: Slew Rate Controlled Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 370mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 20V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 600mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) | на замовлення 70313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6324L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6324L | onsemi | Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: P-Channel Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Features: Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 600mA Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Voltage - Load: 3V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 370mOhm Output Configuration: High Side Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Switch Type: General Purpose Interface: On/Off | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6324L | ONSEMI | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 0.6A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.6A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC70-6 On-state resistance: 0.75Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...20V DC Control voltage: 2.5...8V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6331L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6331L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 | на замовлення 13543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6331L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch | на замовлення 14999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6331L | FAIRCHILD | на замовлення 44999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6331L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 | на замовлення 13543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6331L/.31 | FAIR | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6332C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C | onsemi | MOSFETs 20V N&P-Channel Power Trench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6332C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C | On Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6332C 32. | ON-Semiconductor | Transistor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085; FDG6332C TFDG6332c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench | на замовлення 17960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 700 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085P | ON Semiconductor | MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085P | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C-PG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6332C_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6335N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | onsemi / Fairchild | MOSFETs FDG6335N | на замовлення 12279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | на замовлення 46979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N 35. | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG6335N TFDG6335N кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDG6335N/35 | FAIR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDG6342L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6342L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6 | на замовлення 20237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDG6342L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

