Продукція > MJD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJD122S-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: NPN TRANSISTORS,DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122S-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STM | NPN Darl. DPAK TO-252-3 Транзистори | на замовлення 240 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1152500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | ST | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 30633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікуєтьс кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 100...1000 | на замовлення 9405 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | ST | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1152500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 | STMicroelectronics | Darlington Transistors NPN Power Darlington | на замовлення 15702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4 (MJD122T4G) (біполярний транзистор NPN) Код товару: 30180
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: D-Pak Uceo,V: 100 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 8 A h21: 5000 Примітка: Дарлінгтон | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 300 Frequency: 4MHz | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4G | On Semiconductor | NPN Darl. DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON-Semiconductor | darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN | на замовлення 17748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 16820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 20W Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor | Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122T4G************* | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJD122T4G-CN | CHIPNOBO | Transistor Darlington NPN; 1000; 1,25W, 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD122G; MJD122T4G; MJD122T4; MJD122-TP; MJD122T4G-CN CHIPNOBO TMJD122t4 CNB кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD122T4GOS | onsemi | Darlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122TF | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122TF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJD122TF Код товару: 101877
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild Semiconductor | Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD122TF | ON Semiconductor | Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans | на замовлення 6389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127 | GOODWORK | Description: PNP 100V 3A 20W 200nA TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127 | YFW | Transistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127 | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127 | EVVO | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-252-2L Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127 | YFW | Transistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127 | YFW | Transistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127 | EVVO | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-252-2L Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127 | LGE | PNP Darl. DPAK TO252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127 TO252 SMD | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.5W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 100...12000 | на замовлення 2944 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127-1 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJD127-LGE Код товару: 161555
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJD127-TP | Micro Commercial Components | Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127-TR | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJD127G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 1.75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | ONSEMI | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Current gain: 100...12000 Frequency: 4MHz | на замовлення 122 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | On Semiconductor | PNP Darl. DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127G | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP | на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G Код товару: 50655
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJD127G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127RLG | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJD127RLG | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127RLG | ON Semiconductor | 8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127RLG | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127S-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127S-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 7842 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1332500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | ST | PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 890 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Darlington Transistors PNP Power Darlington | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 Код товару: 180295
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STM | PNP Darl. DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMicroelectronics | Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1332500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G Код товару: 180192
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJD127T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | HXY MOSFET | Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 20W Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | HXY MOSFET | Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ONSEMI | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJD127T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4G | On Semiconductor | PNP Darl. DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD127T4G | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP | на замовлення 9087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

