Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 870000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.88 грн
5000+18.00 грн
7500+15.95 грн
12500+15.24 грн
17500+13.98 грн
25000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMNPN Darl. DPAK TO-252-3 Транзистори
на замовлення 637 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
14+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.08 грн
5000+18.72 грн
7500+17.92 грн
12500+15.97 грн
17500+15.47 грн
25000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+42.94 грн
100+31.28 грн
500+24.24 грн
1000+21.30 грн
2500+17.70 грн
5000+15.10 грн
7500+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.53 грн
38+20.25 грн
100+18.72 грн
500+16.95 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 15492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 870000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.68 грн
5000+17.81 грн
7500+15.78 грн
12500+15.08 грн
17500+13.83 грн
25000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 43156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.51 грн
100+32.50 грн
500+23.65 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4 (MJD122T4G) (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 30180
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
2+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.80 грн
17+46.36 грн
25+46.13 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Power dissipation: 1.75W
Type of transistor: NPN
Current gain: 300
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 4MHz
Collector current: 8A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.12 грн
6+70.61 грн
10+61.89 грн
25+51.07 грн
50+43.95 грн
100+37.91 грн
200+33.13 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 33707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.10 грн
100+39.14 грн
500+28.69 грн
1000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 48075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON-Semiconductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.01 грн
5000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.01 грн
5000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.32 грн
5000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.63 грн
500+36.03 грн
1000+35.32 грн
2500+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G-CNCHIPNOBOTransistor Darlington NPN; 1000; 1,25W, 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD122G; MJD122T4G; MJD122T4; MJD122-TP; MJD122T4G-CN CHIPNOBO TMJD122t4 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
Код товару: 101877
Додати до обраних Обраний товар
Fairchild SemiconductorТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127LGEPNP Darl. DPAK TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GOODWORKDescription: PNP 100V 3A 20W 200nA TO-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
Kind of package: reel; tape
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.61 грн
35+12.08 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-LGE
Код товару: 161555
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.08 грн
345+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+87.05 грн
25+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
75+51.57 грн
150+46.19 грн
525+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.99 грн
75+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GOn SemiconductorPNP Darl. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.19 грн
300+64.57 грн
1050+55.08 грн
2550+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127G
Код товару: 50655
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.73 грн
10+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.04 грн
7500+22.47 грн
10000+21.60 грн
12500+20.25 грн
17500+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMPNP Darl. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.20 грн
5000+17.03 грн
7500+16.28 грн
12500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4
Код товару: 180295
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.99 грн
5000+16.14 грн
7500+15.79 грн
12500+15.06 грн
17500+13.82 грн
25000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.01 грн
5000+16.16 грн
7500+15.81 грн
12500+15.07 грн
17500+13.84 грн
25000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 14576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.59 грн
100+29.81 грн
500+21.62 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
10+43.61 грн
100+29.35 грн
500+22.14 грн
1000+19.54 грн
2500+16.52 грн
5000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.04 грн
7500+22.47 грн
10000+21.60 грн
12500+20.25 грн
17500+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.47 грн
343+41.24 грн
500+34.51 грн
1000+31.86 грн
2500+26.48 грн
5000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.75 грн
5000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+52.33 грн
20+46.21 грн
50+38.75 грн
100+33.63 грн
200+29.02 грн
500+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.26 грн
10+108.35 грн
25+105.44 грн
100+98.86 грн
250+88.94 грн
500+82.88 грн
1000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.80 грн
100+33.39 грн
500+24.32 грн
1000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.86 грн
14+55.47 грн
100+41.24 грн
500+33.28 грн
1000+29.50 грн
2500+25.42 грн
5000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+51.36 грн
500+36.43 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.71 грн
5000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.35 грн
135+105.44 грн
138+102.52 грн
250+96.05 грн
500+86.33 грн
1000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G
Код товару: 180192
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GOn SemiconductorPNP Darl. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.71 грн
5000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]